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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 GBT模塊的原理及測(cè)量判斷方法 本文以介紹由單只 IGBT 管子或雙管做成的逆變模塊及其有關(guān)測(cè)盈和判斷好壞的方法。場(chǎng)效...
2018-05-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管igbt 1.5萬(wàn) 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程中,上下橋臂的關(guān)斷尖峰現(xiàn)象是影響器件性能和可靠性的重要因素。
2024-05-29 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1.5萬(wàn) 0
IGBT通用計(jì)算方法,IGBT門極驅(qū)動(dòng)是什么意思,工作原理是什么?
HCPL316J 可以驅(qū)動(dòng) 150 A/1200 V 的 IGBT ,光耦隔離, COMS/TTL 電平兼容,過(guò)流軟關(guān)斷,最大開(kāi)關(guān)速度 500 ns ,...
IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享
所謂集中過(guò)電流保護(hù),就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線上的電流,當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2024-02-23 標(biāo)簽:IGBT光電耦合器過(guò)流保護(hù)電路 1.5萬(wàn) 0
烈日炎炎的天氣是變頻器發(fā)熱的硬傷,現(xiàn)有大批研究及實(shí)踐表明變頻器的故障率會(huì)隨溫度的升高而上升,使用壽命隨溫度的升高而下降,環(huán)境溫度升高10℃,變頻器使用壽...
IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理 IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
IGBT動(dòng)態(tài)雪崩產(chǎn)生機(jī)制_IGBT動(dòng)態(tài)雪崩的抑制方法
在動(dòng)態(tài)關(guān)斷過(guò)程中,器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.5萬(wàn) 0
IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的...
IGBT模塊損壞修復(fù)方案與IGBT焊機(jī)報(bào)錯(cuò)修復(fù)方案分析
可通過(guò)降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強(qiáng)制風(fēng)扇冷卻,設(shè)置過(guò)溫度保護(hù)等方法來(lái)解決過(guò)熱損壞問(wèn)題。在安裝或更換IGBT時(shí),應(yīng)十分重視IGBT與散熱片的接觸面...
IGBT廣泛應(yīng)用于“I”字型三電平環(huán)流場(chǎng)景的詳解
三電平簡(jiǎn)介:NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由BJT(Bipolar J...
2021-02-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0
變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關(guān)鍵器件,其選型和損耗直接關(guān)...
2022-06-29 標(biāo)簽:IGBT 1.4萬(wàn) 0
TPAK封裝IGBT模塊在新能源電機(jī)控制器上的應(yīng)用
自從特斯拉第三代電驅(qū)系統(tǒng)選用TPAK SiC模塊獲得廣泛應(yīng)用和一致好評(píng)后,國(guó)內(nèi)各大IGBT模塊封測(cè)廠家、新能源汽車主機(jī)廠及電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)商也紛紛把目光投...
在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見(jiàn)的電子器件就是常見(jiàn)的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見(jiàn)的元器件,但是在一些相對(duì)較高電流的...
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
2019-07-02 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT功率半導(dǎo)體器件 1.4萬(wàn) 0
空調(diào)電路逆變器點(diǎn)圖設(shè)計(jì)及圖示
本文研究設(shè)計(jì)了一種新的硬件方案,基于廣泛采用的IGBT模塊和磁隔離驅(qū)動(dòng)IC實(shí)現(xiàn),通過(guò)IGBT模塊內(nèi)置NTC以及隔離型驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)優(yōu)勢(shì),提供給系統(tǒng)更準(zhǔn)確...
最近和一些EE工程師聊到IGBT的技術(shù)問(wèn)題,聊的過(guò)程中發(fā)現(xiàn),他們最感興趣的問(wèn)題大多是關(guān)于功率器件極限能力的評(píng)估方法,因?yàn)檫@些問(wèn)題直接關(guān)系到了系統(tǒng)的可靠性。
GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率...
2023-02-20 標(biāo)簽:IGBT直流電壓驅(qū)動(dòng)電流 1.4萬(wàn) 0
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