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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT在溫度傳感器領(lǐng)域的工作原理與設(shè)計(jì),IGBT是如何做到讓汽車自動(dòng)點(diǎn)火的
除柴油機(jī)外,所有的內(nèi)燃機(jī)中都有一個(gè)基本電路(汽車點(diǎn)火系統(tǒng))。用于點(diǎn)火線圈充電 的開關(guān)元件已經(jīng)歷了很大演變:從單個(gè)機(jī)械開關(guān)、分電器中的多個(gè)斷電器觸點(diǎn),到安...
IGBT在逆變電路中的測(cè)試與仿真,IGBT逆變器緩沖定律
在設(shè)計(jì)緩沖電路時(shí),應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級(jí)管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小,并盡量采用低感或無(wú)感...
igbt串聯(lián)并聯(lián)原理設(shè)計(jì)賞析
將高壓主電源分成若干相等的部分,目前基本上有兩種方法:一是利用電等的部分(分量電源),我們且稱為電容分壓型,比較適用于高頻變換(頻率過(guò)低,分壓電容的容量...
IGBT在電路設(shè)計(jì)中需要遵守的準(zhǔn)則,為什么IGBT會(huì)在電路中失效?
IGBT柵極負(fù)偏電壓—UGE直接影響其可靠運(yùn)行,負(fù)偏電壓升高時(shí)集電極的浪涌電流明顯下降,對(duì)關(guān)斷能耗無(wú)顯著的影響?!猆GE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗Eof...
2017-05-16 標(biāo)簽:pcb電容電路設(shè)計(jì) 6352 0
增強(qiáng)型IGBT和充電控制二極管在未來(lái)的應(yīng)用
對(duì)于快速二極管器件,損耗和反向恢復(fù)軟度仍然是匹配新的ET-IGBT性能的關(guān)鍵性能指標(biāo)。場(chǎng)充電提?。‵CE)概念表明,極端開關(guān)條件下的軟恢復(fù)性能加上低損耗...
熱限制就是我們脈沖功率,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影...
兩個(gè)IGBT比一個(gè)IGBT好在哪里?IGBT使用注意事項(xiàng),IGBT控制電路模塊
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了...
igbt封裝,單管IGBT,IPM和IMP的區(qū)別,四種igbt通用測(cè)量?jī)x器
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電...
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號(hào)大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標(biāo)簽:電阻場(chǎng)效應(yīng)管igbt 3.7萬(wàn) 0
IGBT與MOS管的區(qū)別,IGBT與可控硅的區(qū)別,IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
多的這個(gè)P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流...
2017-05-14 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管mos管 5.5萬(wàn) 0
當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí), J1 就會(huì)受到反向偏壓控制,耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度,將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力,所以,這個(gè)...
IGBT自適應(yīng)平衡控制系統(tǒng)設(shè)計(jì),IGBT串聯(lián)平衡穩(wěn)壓系統(tǒng)設(shè)計(jì)
目前柔性直流輸電技術(shù)正朝著更高電壓、更大容量方向發(fā)展,由于絕緣柵雙極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
雙電壓整流電路設(shè)計(jì),IGBT模塊適用于整流電路嗎?
不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可,把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2...
2017-05-03 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)晶閘管整流電路 1.3萬(wàn) 1
什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)又是如何?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管...
電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試
電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器igbt 1513 0
如何用一顆IGBT撬動(dòng)電動(dòng)汽車逆變器?
電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 9524 0
TDK集團(tuán)推出新型愛(ài)普科斯 (EPCOS) 直流支撐電容器。該元件專為英飛凌科 技公司 (Infineon Technologies) HybridPA...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)集錦—電路精選(48)
GBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗...
2017-02-04 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路半導(dǎo)體器件 2.0萬(wàn) 0
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