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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑正常嗎
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑,通常是指在焊接過(guò)程中,IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)異常,導(dǎo)致焊接效果不理想。這種現(xiàn)象可能是由多種原因引起的,需要對(duì)IGBT焊機(jī)...
2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT電子器件驅(qū)動(dòng)電路 554 0
如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC
緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)者一直追求的目標(biāo)。
隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的演變(IGBT/SiC/GaN)
報(bào)告內(nèi)容包含: 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 ...
對(duì)于對(duì)稱(chēng)IGBT結(jié)構(gòu),N基區(qū)寬度為200μm,通態(tài)集電極電流密度為100Acm-2,P+集電區(qū)/N基區(qū)結(jié)處空穴濃度(P0),計(jì)算得到空穴載流子密度。
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
想要從零了解汽車(chē)電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車(chē)國(guó)內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐...
通過(guò)以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來(lái)計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量來(lái)驗(yàn)算死區(qū)時(shí)間的計(jì)算值是否足夠。
2024-12-16 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器IGBT 538 0
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過(guò)熱,可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是能被工業(yè)機(jī)器人及數(shù)控加工中心等自動(dòng)化設(shè)備廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品,它是屬于伺服系統(tǒng)的一部分,能應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。
2023-06-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT伺服電機(jī) 528 0
二極管開(kāi)關(guān)速度對(duì)雙脈沖測(cè)試條件下IGBT開(kāi)關(guān)特性的影響
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開(kāi)啟。
淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)
該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進(jìn)行了對(duì)比。簡(jiǎn)化的ROM降階模型在所有的計(jì)算結(jié)果中都獲得了可...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開(kāi)始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
IGBT會(huì)用到哪些陶瓷基板?IGBT增長(zhǎng)將拉動(dòng)陶瓷基板需求?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
2023-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)IGBT 496 0
氫能的四大應(yīng)用場(chǎng)景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果,如SiC,G...
典型車(chē)用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開(kāi)關(guān)速度快引起的EMII問(wèn)...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)選IGBT單管
變頻器不管是在生活還是工業(yè)的產(chǎn)品中都越來(lái)越常用了,核心是因?yàn)楣?jié)能效果更明顯。
2023-07-06 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 490 0
電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)步驟和過(guò)程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆...
IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管和肖特基勢(shì)壘二極管(S...
淺談瑞能逆導(dǎo)IGBT助推感應(yīng)加熱的卓越實(shí)力
以電磁爐為例,利用交變電流通過(guò)線(xiàn)圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場(chǎng),處于交變磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會(huì)出現(xiàn)渦旋電流,渦旋電流的焦耳熱效應(yīng)使導(dǎo)體升溫,從而實(shí)現(xiàn)加熱的目的。
2024-06-19 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱瑞能半導(dǎo)體 482 0
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