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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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脈沖變壓器怎樣組成IGBT驅(qū)動?快速檢查IGBT元器件損壞的方法
IGBT元件往往采用多并聯(lián)形式,因此如果某個IGBT元件發(fā)生故障,將會導(dǎo)致并聯(lián)回路中的大量IGBT損壞。而常用的快速檢測方法中或多或少存在著一些無法避免...
IGBT管腳極性該如何鑒定?一個精巧的IGBT散熱電路設(shè)計?
強制風(fēng)冷是利用風(fēng)扇強制空氣對流,冷卻是由間斷運行的風(fēng)扇提供的。如果溫度過高或持續(xù)輸出大電流時,風(fēng)扇就會運轉(zhuǎn)。采用這種方式可以獲得很高的系統(tǒng)集成度,但需要...
MOS管,IGBT,以及三極管他們有什么區(qū)別?正向單流柵極IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計
在低壓下 igbt相對mos管在電性能和價格上都沒有優(yōu)勢,所以基本上看不到低壓igbt,并不是低壓的造不出來,而是毫無性價比。在600v以上,igbt的...
IGBT通用計算方法,IGBT門極驅(qū)動是什么意思,工作原理是什么?
HCPL316J 可以驅(qū)動 150 A/1200 V 的 IGBT ,光耦隔離, COMS/TTL 電平兼容,過流軟關(guān)斷,最大開關(guān)速度 500 ns ,...
隔離驅(qū)動IGBT有何意義?IGBT失控數(shù)據(jù)變化準(zhǔn)則
嚴(yán)格來說,器件靜電損傷也屬于過電壓應(yīng)力損傷,靜電型過電應(yīng)力的特點是:電壓較高,能力較小,瞬間電流較大,但持續(xù)的時間極短,與一般的過電應(yīng)力相比,靜電型損傷...
IGBT模塊損壞修復(fù)方案與IGBT焊機報錯修復(fù)方案分析
可通過降額使用,加大散熱器,涂敷導(dǎo)熱膠,強制風(fēng)扇冷卻,設(shè)置過溫度保護(hù)等方法來解決過熱損壞問題。在安裝或更換IGBT時,應(yīng)十分重視IGBT與散熱片的接觸面...
IGBT模塊應(yīng)用需要注意什么?IGBT電平錯位軟開關(guān)設(shè)計
在為IGBT模塊安裝散熱器時,每個螺釘需按說明書中給出的力矩擰緊。力矩不足會導(dǎo)致熱阻增加或運動中出現(xiàn)螺釘松動現(xiàn)象。僅安裝一個IGBT模塊時,應(yīng)將其裝在散...
光伏電機IGBT模塊的應(yīng)用和精簡型風(fēng)電變流器的設(shè)計與分析
根據(jù)整個裝置所要完成的不同功能,將控制系統(tǒng)軟件劃分為主程序和中斷服務(wù)程序。主程序中包括DSP初始化和定時器設(shè)置,如圖6(a)所示;中斷程序包括A/D采樣...
考慮到所有這些因素,電路板和系統(tǒng)級設(shè)計人員應(yīng)如何選擇放大器呢?答案是:要看電磁干擾抑制比(EMIRR)。該技術(shù)指標(biāo)類似于電源抑制比和共模抑制比,因為它在...
常用的功率元器件大全,防爆變頻機的設(shè)計,你想知道的全在這里!
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,變頻調(diào)速技術(shù)日益成熟,通用變頻器得到了迅速發(fā)展,各種品牌的變頻器在自控領(lǐng)域的各行各業(yè)都得到了廣泛的應(yīng)用。但在一些有爆炸性氣體...
激光加工作為一種先進(jìn)的制造技術(shù),具有應(yīng)用范圍廣、工藝靈活性好、加工精度高、質(zhì)量好、生產(chǎn)過程清潔以及便于實現(xiàn)自動化、柔性化、智能化和提高產(chǎn)品質(zhì)量、勞動生產(chǎn)...
IGBT開關(guān)速度調(diào)節(jié)測試,IGBT模塊一直發(fā)出雜音如何解決?
這種方式已經(jīng)在邏輯IC里盛行?,F(xiàn)在的超高速邏輯電路都采用這種結(jié)構(gòu),包括電腦中的CPU!我們已享用此原理,卻并不知道。
各種最經(jīng)典的IGBT電路賞析和保護(hù)方案,IGBT靜態(tài)和動態(tài)特性是什么?
M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路采用雙電源(+15V,-10V)供電,輸出負(fù)偏壓為-10V,輸入輸出電平與TTL電平兼容,配有短路/過載保護(hù)和...
基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計與實現(xiàn),使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析
R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的,其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等,而電容...
基于IGBT電路的逆變器設(shè)計與分析,IGBT數(shù)字化模塊設(shè)計與考量
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件,構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路,如圖4,同時,采用多個柵極電阻切換的方式,實現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調(diào)...
逆變電路中IGBT安全操作注意事項,IGBT的主要特性參數(shù)
對于過壓保護(hù)采取的措施為:門極和發(fā)射極之間并聯(lián)反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管Vz3和Vz4;門極和發(fā)射極之間加門極發(fā)射極電阻R6;加阻容吸收電路,由D6、R14和...
國內(nèi)igbt技術(shù)相比國外如何?igbt安全注意事項以及柵極干擾降低的實現(xiàn)
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢:無焊接、 無引線鍵合及無襯板/基板封裝...
怎樣防止IGBT線路短路?IGBT模塊化分析與設(shè)計
在vdc=1200v下進(jìn)行了短路試驗,試驗波形如圖6所示。可見,在關(guān)斷開通短路電流和通態(tài)短路電流時,vcemax被可靠地箝位在1350v,小于vces(...
如何提升igbt讀寫速度,igbt模塊要如何安裝?igbt驅(qū)動板的安裝與調(diào)試
典型IGBT驅(qū)動板電路原理圖下圖為DA962Dx系列原理圖,參考下圖可設(shè)計出最大可驅(qū)動300A/1700V的IGBT驅(qū)動板,市售全功能版本的IGBT驅(qū)動...
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