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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車常見(jiàn)故障
IGBT斬波調(diào)速電機(jī)車是一種采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為功率器件的斬波調(diào)速系統(tǒng),廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、電動(dòng)叉車、電動(dòng)觀光車等場(chǎng)合。由于其具有高效率...
2024-08-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT雙極晶體管 679 0
階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊,該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比,該模塊采用了...
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 669 0
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 661 0
首先,根據(jù)整車的路譜數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算電流、功率因數(shù)等參數(shù),同時(shí)要考慮到冷卻水的流量和溫度。 接著,利用這些參數(shù)結(jié)合IGBT的熱特性,可以計(jì)算出時(shí)域上的溫度分布...
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 647 0
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 645 0
比較兩種并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方式對(duì)功率回路耦合特性分析
作為一種電壓控制型器件,絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)由于其通態(tài)壓降低、開關(guān)速度高...
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場(chǎng)截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲(chǔ)設(shè)計(jì)、多梯度緩沖層設(shè)計(jì)、超薄漂移區(qū)設(shè)計(jì),大...
特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
簡(jiǎn)單說(shuō)一下功率半導(dǎo)體的特色
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 636 0
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來(lái)越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對(duì)技術(shù)提出了更高的要求。
BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動(dòng)兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 622 0
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