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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 725 0
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(1)
IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件,持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下,關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步
IGBT功率模塊結(jié)構(gòu)簡圖: IGBT的失效形式及其機(jī)理主要包含以下兩種: 芯片頂部鋁鍵合線的開裂和翹起。 這種現(xiàn)象是由于電流在導(dǎo)線中流動產(chǎn)生熱量,進(jìn)而引...
Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
設(shè)計(jì)各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 705 0
工業(yè)縫紉機(jī)是由很多個不同的電路組成的,比如pfc電路、電機(jī)驅(qū)動電路、控制電路、傳感器電路、通信電路、保護(hù)電路、顯示電路等等。
2023-06-18 標(biāo)簽:傳感器控制電路電機(jī)驅(qū)動 704 0
IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個角度對這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析:1.熱管理導(dǎo)熱性能:環(huán)氧樹脂需要具...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中,我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系,即一維空間的物理關(guān)系。
具體而言,SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對于 GAN 來說,可使用場景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
新能源電驅(qū)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢
第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且體積小、污染少、運(yùn)行損耗,正逐步成為發(fā)展的重心。
2023-05-04 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器第三代半導(dǎo)體 692 0
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如變頻器、電源、電動汽車等。IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量,需要通過散熱...
IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能,它在許多應(yīng)用中切換電力,像是變頻驅(qū)動(VFD)、電動汽...
2018-07-12 標(biāo)簽:igbt安森美半導(dǎo)體 686 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...
高可靠性驅(qū)動器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲能行業(yè)持續(xù)火熱迎來高速發(fā)展期。儲能變流器是儲能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
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