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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2831個 瀏覽：249449次 帖子：479個

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      2018-06-13 標簽：MOSFET半導體IGBT 1.3萬 0

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      本文介紹了一種新開發(fā)的IGBT模塊，適用于純電動汽車（EV）和混動汽車（HEV）大功率動力馬達逆變器的應用。

      2018-06-12 標簽：電動汽車IGBT 7750 0

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      IGBT作為核心部件的工作原理

      IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動電機，為汽車運行提供動力。當電驅(qū)動系統(tǒng)工作時，逆變器從電池組獲取直流電，并轉(zhuǎn)換成交流電來驅(qū)動電機。...

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      2018-05-18 標簽：萬用表變頻器igbt 7.3萬 0

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