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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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近年來,隨著能源危機和環(huán)境問題的日益突出,產(chǎn)業(yè)界和科研界都對電動汽車的研發(fā)投入了極大關(guān)注,也帶來了全球范圍內(nèi)電動汽車產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,使得目前電動汽車產(chǎn)品...
2023-08-30 標(biāo)簽:電動汽車變換器充電系統(tǒng) 783 0
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性,其優(yōu)點可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個IGBT...
由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門極驅(qū)動環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因為誤動作和不飽和動作而導(dǎo)致元件損壞。
國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
當(dāng)IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個硅片上時,就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標(biāo)準(zhǔn)的IGBT/二極管模塊可以在單個硅芯片上構(gòu)建,從而增強...
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使...
工業(yè)縫紉機在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的,而電機驅(qū)動是工業(yè)縫紉機系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計以及電子元器件的優(yōu)化來提升產(chǎn)品性能是非常重要的。
功率二極管作為最基本的電力電子器件,在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用,其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性,有助于學(xué)...
在電控模塊中,IGBT模塊是逆變器的最核心部件,總結(jié)其工作原理:通過非通即斷的半導(dǎo)體特性,不考慮過渡過程和寄生效應(yīng),我們將單個IGBT芯片看做一個理想的開關(guān)。
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(...
2022-11-16 標(biāo)簽:IGBT場效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 762 0
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運動相互影響,這個影響關(guān)系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。
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