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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導(dǎo)通后,流過(guò)它的電流由多個(gè)因素共同決定,主要包括以下幾...
開關(guān)變換器與諧振變換器在電力電子領(lǐng)域中扮演著重要的角色,它們各自具有獨(dú)特的工作原理、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)探討這兩種變換器的區(qū)別,包括其定...
2024-07-16 標(biāo)簽:IGBT開關(guān)變換器諧振變換器 811 0
金升陽(yáng)IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì),半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大;對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IG...
驅(qū)動(dòng)電路要求 o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_關(guān)時(shí)間 oIGBT開通后,提供足夠的電壓...
2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 809 0
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 805 0
IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些
功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車...
2023-02-02 標(biāo)簽:變頻器計(jì)算機(jī)IGBT 805 0
安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過(guò)高溫反向偏置測(cè)試來(lái)增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過(guò)程控制的有效性。
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小,可能會(huì)對(duì)...
本文介紹了硬件工程師入門的基礎(chǔ)元器件,包括二極管、三極管、MOS管和IGBT。對(duì)比了肖特基二極管與硅二極管的特性,探討了三極管作為開關(guān)的應(yīng)用和電阻選擇方...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率電子器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,IGBT需要承受高電壓、大電流和高頻率的...
變壓器結(jié)電容相對(duì)于電壓變化率過(guò)大,導(dǎo)致的耦合電流干擾問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題導(dǎo)致的后果是,輸出邏輯錯(cuò)誤,控制電路被干擾,電路失效等。
2023-12-22 標(biāo)簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 790 0
Microchip推出一款全新的綜合性混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng)模塊
設(shè)計(jì)多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動(dòng),以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 789 0
PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
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