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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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氣候變化和社會(huì)對(duì)環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動(dòng)力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計(jì)具有較低體積、較高發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...
IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...
一、前言 對(duì)新能源汽車而言,電池技術(shù)、電機(jī)技術(shù)、電機(jī)控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、...
由變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī),電機(jī)是不能直接從電源側(cè)獲取能量的,變頻器不同于開關(guān)、接觸器,一旦接通,電機(jī)就能從工頻下啟動(dòng)并運(yùn)行,變頻器由整流、濾波、逆變環(huán)節(jié),它的能...
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn),是能量轉(zhuǎn)換和傳...
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT功率半導(dǎo)體 847 0
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽(yáng)能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會(huì)...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(3)
至此,我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲(chǔ)變化,而電荷對(duì)時(shí)間的變化率即對(duì)應(yīng)電流。
今年以來,國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
數(shù)字電源的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)講解
驅(qū)動(dòng)電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間,其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷。優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠提高數(shù)字電源的...
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究 IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 835 0
認(rèn)識(shí)到這種情況的嚴(yán)重性,標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、行業(yè)團(tuán)體和政府機(jī)構(gòu)制定了新能源指南。這些指南通常采用引用效率曲線的形式,這些曲線規(guī)定了所有運(yùn)行負(fù)載(從 20% 到滿負(fù)...
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 827 0
絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時(shí)日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起,IGBT成為了中壓和高壓(...
在電力電子技術(shù)的快速中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)技術(shù)以其高效、可靠的性能,成為眾多領(lǐng)域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復(fù)雜的IGBT器件,每一個(gè)...
電力電子系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)器對(duì)IGBT保護(hù)的分析
如果短路發(fā)生在負(fù)載通道或者橋接旁路,IGBT的集電極電流完全增大,造成晶體管飽和。如今市場(chǎng)上的IGBT模塊只能防短路很短的時(shí)間。為了防止IGBT被熱負(fù)荷...
2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器igbt功率 815 0
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的,而電學(xué)特性,如V行政長(zhǎng)官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi),由于在設(shè)備或模塊內(nèi)累積損壞
2023-03-13 標(biāo)簽:IGBT 814 0
碳化硅器件“上車”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)
根據(jù)研究和規(guī)?;瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...
RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào),傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的...
2023-02-09 標(biāo)簽:IGBT 814 0
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