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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點,根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
由于變頻器(VFD)輸出電壓不平衡的特點是電機抖動和轉速不穩(wěn)定。一般來說,沒有經(jīng)驗很難確定哪個驅動器有問題。此時可啟動VFD的2hz,用萬用表DC電壓范...
來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
IGBT模塊是由不同的材料層構成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關熱性能的硅膠。
柵極驅動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執(zhí)行此功能,在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過,上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴...
相對于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經(jīng)過干燥、高溫燒結(700~800℃)后制備。金屬漿料...
低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快,海外市場會多一些,包括這幾年崛起的終端客戶,比如德業(yè)和錦浪。
為您的設計選擇最佳選項:碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)用于許多不同類型的電源應用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...
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