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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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PMA等離子釬焊機(jī)的工作原理及應(yīng)用特點(diǎn)
原理:在陰極和噴嘴的內(nèi)壁之間產(chǎn)生電弧,輸入氣體后,氣體被陰極和噴嘴之間的電弧加熱并造成全部或部分電離,然后由噴嘴噴出形成等離子火焰,外部火焰溫度高達(dá)15...
如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器
在開關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見(jiàn)圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...
2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線柵極驅(qū)動(dòng)器 1735 0
IGBT及驅(qū)動(dòng)電路的過(guò)壓保護(hù)
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過(guò)壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過(guò)電壓進(jìn)行抑制。
2019-09-30 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.0萬(wàn) 0
IGBT動(dòng)態(tài)雪崩產(chǎn)生機(jī)制_IGBT動(dòng)態(tài)雪崩的抑制方法
在動(dòng)態(tài)關(guān)斷過(guò)程中,器件內(nèi)部所發(fā)生的由電流控制的受自由載流子濃度影響的碰撞電離現(xiàn)象。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.5萬(wàn) 0
功率晶體管的電壓/電流都選得足夠大,除了注意自己的人身安全,一般不用擔(dān)心功率晶體管會(huì)損壞。但是在實(shí)際產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)中,功率晶體管技術(shù)規(guī)格的裕量不可能選得這么大...
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 5.3萬(wàn) 0
在IGBT的應(yīng)用中,當(dāng)外部負(fù)載發(fā)生故障,或者柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)出現(xiàn)異常,或者某個(gè)IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 2.8萬(wàn) 0
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過(guò)壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過(guò)電壓進(jìn)行抑制。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6375 0
三款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
Infineon公司是出界上著名的半導(dǎo)體生產(chǎn)商,其生產(chǎn)的“EUPEC”IGHT在世界范圍內(nèi)占有很大部分份額。其配套生產(chǎn)的EiceDriver系列IGBT...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.9萬(wàn) 0
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用舉例
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.6萬(wàn) 0
多階段驅(qū)動(dòng)方法就是將IGBT開通關(guān)斷過(guò)程分段控制,對(duì)不同的階段采取不同的控制方法,這樣就可以盡量減小因?yàn)榭刂贫斐傻拈_關(guān)延時(shí)和開關(guān)損耗,從而在實(shí)現(xiàn)相同控...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 7211 0
和改電阻法不同的是,改電壓法是在控制階段改變驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制電壓電流過(guò)沖。改驅(qū)動(dòng)電壓的方法大概有兩種,一種是通過(guò)電阻分壓實(shí)現(xiàn)改驅(qū)動(dòng)電壓,另外一種是在控制芯...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 1.2萬(wàn) 0
瞬態(tài)過(guò)電流IGBT在運(yùn)行過(guò)程中所承受的大幅值過(guò)電流除短路、直通等故障外,還有續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流、緩沖電容器的放電電流及噪聲干擾造成的尖峰電流。這種...
IGBT失效場(chǎng)合:來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)、負(fù)載突變都會(huì)引起過(guò)電壓和過(guò)電流;來(lái)自系統(tǒng)外部,如電網(wǎng)波動(dòng)、電力線感應(yīng)、浪涌等。...
變頻器的風(fēng)扇不轉(zhuǎn)了到底會(huì)不會(huì)影響變頻器?
會(huì)嚴(yán)重影響變頻器的正常工作。變頻器內(nèi)部的核心器件都是(IGBT)電力半導(dǎo)體開關(guān)元器件,正常工作時(shí),它們都會(huì)產(chǎn)生大量熱能,如果沒(méi)有風(fēng)扇強(qiáng)制散熱,它的感溫頭...
IGBT的柵極電壓影響著集電極輸出電流IC的大小,電路中如果用閾值電壓VGE(th)不同的IGBT組成并聯(lián)電路,即使柵極電壓相同,流過(guò)各支路的電流也會(huì)有...
2019-08-21 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6540 0
ADuM4135柵極驅(qū)動(dòng)器與APTGT75A120 IGBT的結(jié)合使用
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。
2019-08-16 標(biāo)簽:adiIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 2394 0
教你選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的正確“姿勢(shì)”
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中,IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。
2019-08-07 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4488 0
SCR的開關(guān)時(shí)間較長(zhǎng),所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達(dá)30KHZ左右,IGBT單管開關(guān)頻率更高,達(dá)50...
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