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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 923 0
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
永磁同步電機(jī)是我國(guó)新能源汽車動(dòng)力裝置的核心驅(qū)動(dòng)裝置,大家都知道在低速的時(shí)候永磁同步電機(jī)采用最大扭矩電流比控制,也就是給定一個(gè)扭矩,利用最小的合成電流來(lái)實(shí)...
2023-11-15 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)電機(jī)IGBT 921 0
車用 IGBT 模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過(guò)嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 ...
新能源汽車核心部件IGBT模塊想要過(guò)AECQ101認(rèn)證,需要要做哪些測(cè)試?
電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT模塊的作用 要了解IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電...
MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們?cè)陔娏﹄娮?、能量轉(zhuǎn)換、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,但它...
未來(lái)對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí),變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新...
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 標(biāo)簽:IGBT浪涌功率半導(dǎo)體 912 0
淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
在了解了DIPIPM失效分析的流程后是不是會(huì)很容易地找到市場(chǎng)失效的原因了呢?答案是否定的。不管是對(duì)收集到的市場(chǎng)失效信息還是對(duì)故障解析報(bào)告的解讀、分析都需...
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開(kāi)關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
柵極鉗位TVS二極管對(duì)IGBT雙脈沖開(kāi)關(guān)特性的影響
階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開(kāi)關(guān)S動(dòng)作,lGBT開(kāi)始關(guān)斷,柵極通過(guò)RG開(kāi)始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過(guò)溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)...
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通?;趶?qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見(jiàn)的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
600V/15A三相全橋驅(qū)動(dòng)智能功率模塊-DPM15C60DG1概述
DPM15C60 是一款三相 IGBT 逆變器模塊,內(nèi)置 IGBT 及其柵驅(qū)動(dòng)芯片,可用于無(wú)刷直流電機(jī)、永磁無(wú)刷電機(jī)等的驅(qū)動(dòng)。
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率?影響高壓電源轉(zhuǎn)換效率的主要因素
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓時(shí),能夠?qū)⒍嗌佥斎牍β兽D(zhuǎn)化為有用的輸出功率的比例。
2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 898 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對(duì)于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛?yáng)極和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
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