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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 需要全面保護(hù),以避免因短路、過載和過壓等條件造成損壞和故障。在電機驅(qū)動、太陽能和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)用中,保護(hù)是確保電源轉(zhuǎn)換...
2021-06-14 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT交流電機驅(qū)動器 3241 0
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...
IGBT,電力電子的CPU!小小功率半導(dǎo)體器件,卻在很多電力電子相關(guān)的領(lǐng)域發(fā)揮著巨大的作用。近年來,IGBT發(fā)展迅猛,英飛凌以及日本廠商不斷針對各類應(yīng)用...
2020-10-27 標(biāo)簽:IGBT 2.4萬 0
上半年COVID-19疫情的爆發(fā),給IT設(shè)備領(lǐng)域創(chuàng)造了新的行業(yè)熱點,但對交通出行行業(yè)造成了重創(chuàng)。從中國汽車工業(yè)協(xié)會(CAAM)的數(shù)據(jù)來看,今年一季度,乘...
基于Lifetime控制技術(shù)的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS
ROHM獨有的超級結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運用ROHM獨創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢,實現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時間(trr),非常有助于...
基于IGBT模塊和驅(qū)動器IC的電機驅(qū)動和逆變器設(shè)計方案
電機和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中日漸增長。隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)計...
IGBT和SiC MOSFET差異 柵極驅(qū)動器電路設(shè)計
也許與此主題相關(guān)的最根本的問題是問為什么使用并行模塊?將2個200A模塊并聯(lián)成一個400A模塊有什么好處,為什么不簡單地使用400A零件呢?在商業(yè)方面,...
IGBT電動汽車空調(diào)有哪些關(guān)鍵技術(shù)
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并...
我們都知道,電源設(shè)計開發(fā)當(dāng)然算是個技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計工程師根據(jù)任務(wù)書選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計符合功能的原型版,電源設(shè)...
ITECH半導(dǎo)體測試方案解析,從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1062 0
IGBT –電動汽車空調(diào)的一項關(guān)鍵技術(shù)
與使用內(nèi)燃機的傳統(tǒng)汽車相比,電動汽車的能效要高得多,但這也帶來一個問題:來自電機的廢熱不再足以滿足車內(nèi)的取暖需求。
基于IGBT技術(shù)實現(xiàn)反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計
二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr與正向壓降Vf的關(guān)系曲線可以表示出二極管的特性。這意味著,原則上該曲線上的每一個點都能實現(xiàn),如圖1所示。因此,可以設(shè)計出低Qr...
基于IGBT器件的三相逆變器驅(qū)動電路的設(shè)計與分析
電 力 電 子 變 換 技 術(shù) 的 發(fā) 展 , 使 得 各 種 各 樣 的 電 力 電 子 器 件 得 到 了 迅 速 的 發(fā) 展 。 20世 紀(jì) 80...
焊機作為比較傳統(tǒng)的行業(yè),但是任何一個行業(yè)不可能是停滯不前的。俗話說:原地踏步就等于退步。所以,隨著電子元器件的發(fā)展,各個行業(yè)也都在不停地迭代更新,推出新...
首先,開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下,IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗,開通損耗是Eon,關(guān)斷損耗是Eoff,...
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動兩者電氣參數(shù)特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅(qū)動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現(xiàn)在GS開通電壓、GS關(guān)斷電壓、短...
基于MOSFET和IGBT器件在電機控制應(yīng)用中的選擇
長期以來,發(fā)動機控制一直處于研究和開發(fā)活動的前沿,其目標(biāo)是在兩個層面上找到有效和高效的微電子解決方案,一個是計算軟件,另一個是可以在微電子層次集成的電力...
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