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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有...
2018-06-20 標(biāo)簽:IGBT 1.8萬 0
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常??墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動電機(jī),為汽車運(yùn)行提供動力。當(dāng)電驅(qū)動系統(tǒng)工作時,逆變器從電池組獲取直流電,并轉(zhuǎn)換成交流電來驅(qū)動電機(jī)。...
igbt串聯(lián)并聯(lián)原理設(shè)計賞析
將高壓主電源分成若干相等的部分,目前基本上有兩種方法:一是利用電等的部分(分量電源),我們且稱為電容分壓型,比較適用于高頻變換(頻率過低,分壓電容的容量...
NPT-IGBT 結(jié)構(gòu)雖然沒有緩沖層,但是它的反向阻斷能力依然很差,因?yàn)樾酒某叽缡怯邢薜?,在切割芯片時,如果切割線穿過了承受高壓的pn結(jié),晶格損傷和應(yīng)...
交流斬波技術(shù)在城市照明節(jié)電器上如何應(yīng)用?附原理圖
隨著人類社會的不斷發(fā)展,能源問題日益成為所有國家面臨的重大問題,尋找干凈的新型能源和節(jié)能降耗將成為人類社會發(fā)展的永恒主題。城市照明用電是電能的消耗大戶,...
變頻器的風(fēng)扇不轉(zhuǎn)了到底會不會影響變頻器?
會嚴(yán)重影響變頻器的正常工作。變頻器內(nèi)部的核心器件都是(IGBT)電力半導(dǎo)體開關(guān)元器件,正常工作時,它們都會產(chǎn)生大量熱能,如果沒有風(fēng)扇強(qiáng)制散熱,它的感溫頭...
IGBT就是一個開關(guān),非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當(dāng)柵源極加+12V(大于6V,一般取12V到15V)時IGBT導(dǎo)通,柵源...
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 1.6萬 0
如何正確理解IGBT模塊規(guī)格書中的主要參數(shù)?
當(dāng)我們在選擇一款I(lǐng)GBT模塊做功率回路設(shè)計時,首先都會問到兩個最基本的參數(shù),這個模塊是多少伏、多少安培的?
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.6萬 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
IGBT的驅(qū)動電路必須具備兩種功能:一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電位隔離;二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓...
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動 1.6萬 0
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