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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小,可能會(huì)對(duì)...
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 2442 0
IGBT的G極電壓影響因素、測(cè)量方法及應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT電力電子驅(qū)動(dòng)電壓 1136 0
可能會(huì)出現(xiàn)尖峰和低峰現(xiàn)象。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和B...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過程中,驅(qū)動(dòng)電...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電壓功率半導(dǎo)體器件 3125 0
IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT的驅(qū)動(dòng)方式可以電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)兩種,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、快速開關(guān)等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1772 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運(yùn)行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運(yùn)...
車規(guī)級(jí)IGBT模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析
車規(guī)級(jí)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車中的核心功率半導(dǎo)體器件,其成本...
2024-07-22 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件汽車半導(dǎo)體 603 0
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
半導(dǎo)體IGBT采用銀燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢(shì)探討
隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力轉(zhuǎn)換與能源管理領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。其中,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以其顯著優(yōu)點(diǎn)在功率半導(dǎo)體器件中...
IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...
開關(guān)變換器與諧振變換器在電力電子領(lǐng)域中扮演著重要的角色,它們各自具有獨(dú)特的工作原理、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)探討這兩種變換器的區(qū)別,包括其定...
2024-07-16 標(biāo)簽:IGBT開關(guān)變換器諧振變換器 810 0
功率芯片是一種集成電路芯片,其核心功能在于控制和管理電能,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。以下將從功率芯片的原理和應(yīng)用兩個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。
功率器件,也稱為功率電子器件,是電子設(shè)備中至關(guān)重要的組成部分,它們具備處理高電壓和高電流的能力,是電力轉(zhuǎn)換和電路控制的核心。以下是對(duì)功率器件的詳細(xì)介紹,...
共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代,產(chǎn)品推...
2024-07-21 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1493 0
逆變器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其作...
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