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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：2833個 瀏覽：249474次 帖子：479個

      igbt技術

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      2023-02-16 標簽：MOSFET驅動器IGBT 966 0

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      氣候變化、人口結構變化和城市化等大趨勢正在改變世界。這些推動了能源效率、綠色能源和電氣化等行業(yè)趨勢，這些關鍵主題提出了新的要求和挑戰(zhàn)。工程師的目標是在下...

      2023-10-24 標簽：模塊逆變器IGBT 964 0

      場溝槽柵截止型IGBT FHA25T120A的特點

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      IGBT作為最有性價比的開關器件，通?？梢栽赨PS作為PFC來使用，讓電路的開關效率更佳，從而提升產(chǎn)品的質量！因此如何選用一款參數(shù)適合、質量優(yōu)良的IGB...

      2023-11-07 標簽：UPSIGBT開關器件 964 0

      AS1000系列變頻電源SPWM技術介紹

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      方案一：用比較器比較正弦波和三角波以獲得PWM波?；究驁D如圖1所示。

      2023-04-28 標簽：比較器IGBT驅動電路 962 0

      用于最高電壓等級的硅IGBT和碳化硅MOSFET

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      對于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓撲結構，從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓撲，再到更復雜的變流器

      2023-10-16 標簽：MOSFET晶閘管IGBT 962 0

      全面解讀DIPIPMTM的基礎、功能、應用和失效分析技巧

      通常大家所提到的IGBT，一般指分立IGBT器件或IGBT模塊，這些器件的結構和工作機理都是以IGBT芯片為基礎，一代IGBT芯片技術決定了一代IGBT...

      2022-07-21 標簽：pcbIGBT晶體管 958 0

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      近年來，功率半導體用戶深刻地意識到不確定的半導體供應鏈帶來挑戰(zhàn)相當棘手。因此，在設計變頻器時，"多元采購 "一直是用戶的需求。賽米控...

      2023-05-29 標簽：IGBT功率模塊供應鏈 955 0

      影響IGBT功率模塊散熱的因素

      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳...

      2024-07-26 標簽：IGBT晶體管功率模塊 952 0

      MOSFET與IGBT的本質區(qū)別

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      由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。

      2023-08-25 標簽：二極管MOSFETIGBT 951 0

      怎么選擇一款優(yōu)質的IGBT單管應用于UPS的全橋IGBT逆變電路中？

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      UPS已經(jīng)作為很多大型展會的應急電源來使用，就在11月21日綿陽科博會的配電室正安裝了UPS作為應急電源。

      2023-11-27 標簽：UPSIGBT逆變電路 942 0

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      隨著現(xiàn)代電力電子技術的飛速發(fā)展，功率半導體器件在電力轉換與能源管理領域的應用越來越廣泛。其中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以其顯著優(yōu)點在功率半導體器件中...

      2024-07-19 標簽：半導體IGBT晶體管 941 0

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      2023-06-11 標簽：IGBTMOS 941 0

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      縮短充電時間是目前提升電動車使用體驗的關鍵。當補貼力度越來越弱，推力漸小，加速電動汽車產(chǎn)業(yè)化的解決方案要回歸到本質上

      2023-08-12 標簽：電動汽車連接器電池充電 939 0

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