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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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什么是IGBT? IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由BJT(Bipolar J...
2021-02-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1.5萬(wàn) 0
IGBT在工作的時(shí)候,一般是工作在飽和區(qū)的,就是下圖中的紅色區(qū)域。為什么?很容易理解,在這個(gè)區(qū)域Vce隨著Ic的變化非常小,因此損耗也就很小,功率半導(dǎo)體...
一文解讀IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的熱設(shè)計(jì)方案
IGBT應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)主要影響IGBT開關(guān)的表現(xiàn)和短路保護(hù)的安全性,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)影響了雜散電感和均流性,而熱設(shè)計(jì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)是決定性的,它決定了變流器能否達(dá)...
2021-02-27 標(biāo)簽:散熱器IGBT熱設(shè)計(jì) 6648 0
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
如何使用MOSFET或者IGBT實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)電源
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)是通過(guò)MOSFET...
2020-10-31 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源IGBT 5809 0
如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)
使用IGBT時(shí),面臨的常見問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器(單電源驅(qū)動(dòng)器)中,這種影響是明顯的。
2021-05-17 標(biāo)簽:電容器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 7950 0
使用傳動(dòng)裝置的變速驅(qū)動(dòng)器技術(shù)方案
有兩種常用的三相電壓。240V級(jí)和400V級(jí); 根據(jù)電壓大小,建議使用650V CIB類模塊或1200V CIB類模塊。
2021-05-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器變頻器 2405 0
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...
2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管IGBT 2277 0
基于功率MOSFET的H橋PWM DC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
H橋(全橋)驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)等負(fù)載方面非常流行,并且已廣泛用于機(jī)器人技術(shù)和工業(yè)中。使用H橋驅(qū)動(dòng)器的主要優(yōu)點(diǎn)是效率高,旋轉(zhuǎn)方向變化和制動(dòng)電動(dòng)機(jī)。
2021-05-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTMOSFET驅(qū)動(dòng)器 7916 0
全橋直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的的高性能電源控制
作者:Maurizio Di Paolo Emilio 近年來(lái),電力電子半導(dǎo)體市場(chǎng)迅速增長(zhǎng),這主要?dú)w功于用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車(EV / HEV)和電機(jī)...
2021-05-20 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器led驅(qū)動(dòng)器IGBT 2993 0
在汽車中一定要有應(yīng)急電源,為什么應(yīng)急電源如此重要?設(shè)想一下,如果你正在高速公路上駕車行駛上,不巧遇到緊急情況需要?jiǎng)x車,這時(shí)候電源電壓不足,事故在所難免,...
淺談開關(guān)模式電源電路中運(yùn)行的IGBT數(shù)值算法
該分析描述了一種用于確定IGBT損耗的數(shù)值算法。諸如MathCAD?之類的數(shù)學(xué)工作表程序可用于此應(yīng)用程序。
淺談高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——ACPL-337J
ACPL-337J是一款先進(jìn)的高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器,旨在隔離,驅(qū)動(dòng),保護(hù)和反饋IGBT的工作狀態(tài)。 它具有軌到軌輸出,可以提供4A的最大電流,能...
淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用
本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動(dòng)器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù),驅(qū)動(dòng)器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGB...
2021-05-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 3410 0
在這種情況下,不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容,而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器光纖IGBT 2749 0
絕緣柵雙極晶體管知識(shí):IGBT對(duì)比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢(shì)
由于電導(dǎo)率調(diào)制,它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降,并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此,較小的芯片尺寸是可能的,并且可以降低成本。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源PWM 5223 0
淺談汽車PTC模塊中用低側(cè)驅(qū)動(dòng)器IC的作用分析
分立式電路的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是它不提供保護(hù),而柵極驅(qū)動(dòng)器IC集成了對(duì)于確??深A(yù)測(cè)和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)非常重要的功能。
2021-05-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 4777 0
本應(yīng)用筆記介紹了為反向阻斷功能而開發(fā)的新型 IGBT。應(yīng)用筆記介紹了新型 IGBT 的應(yīng)用及其電氣特性。 抽象的 開發(fā)了一種新的 IGBT,具有反向阻斷...
2021-06-01 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器逆變器 3205 1
650V場(chǎng)截止IGBT 現(xiàn)代廚房技術(shù)分析
現(xiàn)代廚房技術(shù)現(xiàn)在涉及感應(yīng)烹飪,以提供更簡(jiǎn)單的方法和更快的食物準(zhǔn)備。由于不同制造商品牌在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng),秘訣在于感應(yīng)加熱器可產(chǎn)生更多功率輸出,從而縮短烹飪時(shí)間...
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