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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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使用隔離放大器實現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護方案
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成...
利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)
當(dāng)IGBT在開關(guān)時普遍會遇到的一個問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動的應(yīng)用中影響是很明顯的?;陂T極G與集電極C之間的耦合,...
利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長IGBT驅(qū)動電路的使用時長
IGBT是電源中的一個核心部分,其主要特點是開關(guān)速度快,通常應(yīng)用于逆變器或電機控制系統(tǒng)。一般IGBT的驅(qū)動電路由體積小、效率高的DC/DC轉(zhuǎn)換器組成,因...
2021-03-15 標(biāo)簽:發(fā)動機轉(zhuǎn)換器igbt 3008 0
大功率IGBT驅(qū)動的技術(shù)特點及發(fā)展趨勢分析
由于igbt具有開關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門極控制方便等特點,在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個要考慮的重...
IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時,驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)...
1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類型為P(p...
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
分析和比較驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT均流特性的影響
本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個模塊已經(jīng)無法滿足其需求,功...
離網(wǎng)逆變器到底是什么?并網(wǎng)逆變器的原理詳細說明
逆變器是眾多設(shè)備中不可缺少的一環(huán),由此可見逆變器的重要性。為增進大家對逆變器的認識,本文將對離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器進行介紹,并探討離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器...
搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時候把它當(dāng)作一個開關(guān)就可以了,但估計很少人能夠說出IGBT和MOSFET工作...
如何通過柵極驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)SiC性能的最大化
SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢源于它們的帶隙,價帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。
2021-02-20 標(biāo)簽:電動汽車IGBT電源開關(guān) 2631 0
我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對器件的開關(guān)過程影響非常大,如果前期設(shè)計不注意,后期麻煩事會非常多,例如:器件過壓高、振蕩嚴(yán)重,EMI超標(biāo)等。...
英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析
以對稱的布板設(shè)計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...
功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動車IGBT功率半導(dǎo)體 2607 0
碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計、測試與系統(tǒng)評估
前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡稱臻驅(qū)科技)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2 019 年底,臻...
2020-11-24 標(biāo)簽:IGBT 2080 0
IGBT是電壓控制型器件,它只有開關(guān)特性(通和斷兩種狀態(tài)),沒有放大特性。由IGBT等效電路可知,它是以晶體管為主導(dǎo)元件,以MOS管為驅(qū)動元件的達林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動電路IGBT驅(qū)動 4.2萬 0
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