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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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變頻器在設(shè)計(jì)上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關(guān)鍵器件,其選型和損耗直接關(guān)...
2022-06-29 標(biāo)簽:IGBT 1.4萬(wàn) 0
雙脈沖測(cè)試的基本原理、基本實(shí)驗(yàn)以及波形
一般,我們是通過(guò)閱讀器件廠商提供的datasheet來(lái)了解一個(gè)器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測(cè)試得來(lái)的,因此...
為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1628 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說(shuō):“IGBT 的一個(gè)主要缺點(diǎn)是其開(kāi)關(guān)頻率相對(duì)較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬(wàn) 0
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類(lèi)變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
通用變頻器應(yīng)用在大慣量負(fù)載時(shí),短時(shí)間內(nèi)的減速會(huì)使母線電壓升高,由于成本原因通用變頻器沒(méi)有主動(dòng)前端無(wú)法將能量回饋電網(wǎng),理論上如果電容容量夠大,可以先存儲(chǔ)能...
2022-06-07 標(biāo)簽:變頻器IGBT制動(dòng)電阻 1.8萬(wàn) 1
BOS大功率逆變模塊主要由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、開(kāi)關(guān)電源、散熱器、電解、吸收電容、驅(qū)動(dòng)板、銅板等部件相互連接組成,該模塊組采用IGBT逆變技術(shù)...
脈沖器件開(kāi)通關(guān)斷會(huì)引起什么問(wèn)題
IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān),從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣,過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。
2022-05-24 標(biāo)簽:二極管數(shù)據(jù)發(fā)生器 3046 0
總結(jié)一下,對(duì)于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來(lái)抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時(shí),如果不想減慢開(kāi)關(guān)速度增加損耗的話,加...
IGBT驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么
——驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么?
2022-04-29 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 2935 0
大家好,今天我們聊一下IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛,被譽(yù)...
2022-04-20 標(biāo)簽:模塊IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 2.4萬(wàn) 0
IGB門(mén)極開(kāi)通電壓尖峰的機(jī)理分析及仿真驗(yàn)證
大家好,最近工作比較忙,更新文章有點(diǎn)慢,說(shuō)實(shí)話寫(xiě)篇自己還算看得過(guò)去的文章確實(shí)挺費(fèi)時(shí)間,為了保證每周至少一篇文章,找點(diǎn)簡(jiǎn)單的話題聊聊吧。
IGBT開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性
大家好,這期我們?cè)倭囊幌翴GBT的開(kāi)關(guān)損耗,我們都知道IGBT開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開(kāi)關(guān)暫態(tài)過(guò)程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會(huì)釋放功...
2022-04-19 標(biāo)簽:二極管IGBT開(kāi)關(guān)損耗 4826 0
東芝半導(dǎo)體推出具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件GT30N135SRA
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價(jià)比在業(yè)界被廣泛應(yīng)用,特別是在工業(yè)控制領(lǐng)域幾乎隨處可見(jiàn)IGBT的身影。作為功率半導(dǎo)體的家族分支,不僅融合了BJT和MOSF...
2022-04-19 標(biāo)簽:IGBT家電東芝半導(dǎo)體 2614 0
雙脈沖測(cè)試能反映IGBT實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中電應(yīng)力嗎?
通常情況下,為了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)特性,我們都會(huì)搭建一個(gè)通用的雙脈沖測(cè)試平臺(tái)。測(cè)試平臺(tái)的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測(cè)功率器件和驅(qū)動(dòng)電路。雙脈沖...
驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開(kāi)通振蕩。
2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 4302 0
雙脈沖測(cè)試是否能夠反映器件在真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力
大家好,前段時(shí)間在知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問(wèn):“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測(cè)試評(píng)估器件的動(dòng)態(tài)特征,在實(shí)際中有可比性嗎?”感覺(jué)這個(gè)問(wèn)題提的比較好,也是...
IGBT和SiC電源開(kāi)關(guān)知識(shí)科普
IGBT 和 SiC 電源開(kāi)關(guān)有哪些市場(chǎng)和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn),大功率應(yīng) 用的...
2022-03-18 標(biāo)簽:IGBT電源開(kāi)關(guān)SiC 7899 0
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