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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(...
面對高度競爭化的混合動力車和電動汽車(HEV/EV)市場,動力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。 功率逆變器 在動力集成系統(tǒng)中至關(guān)...
基于進一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機的結(jié)構(gòu)設(shè)計方案,并詳細闡述了碳化硅三...
續(xù)航以及補能問題一直是困擾電動汽車發(fā)展的因素,當前主流電動汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動...
IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8...
為什么使用 S 參數(shù)進行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢?
? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、光伏...
陶瓷覆基板是影響模塊長期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
2023-04-17 標簽:IGBT功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 1126 0
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
柵極環(huán)路電感對IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
igbt柵極驅(qū)動的參數(shù)要求和驅(qū)動條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動條件對IGBT的...
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