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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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伺服系統(tǒng)破局點(diǎn):如何實(shí)現(xiàn)工業(yè)機(jī)器人的小型化
磁電式編碼器使用磁場感應(yīng)元器件代替碼盤,因此可以在提高精度的同時保證體積相對較小。但是磁電編碼器價格比較昂貴,目前僅在精度要求、工況要求相對較高的領(lǐng)域適...
2022-09-08 標(biāo)簽:IGBT光電編碼器工業(yè)機(jī)器人 2148 0
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
IGBT保護(hù)的問題:短路保護(hù)和過流保護(hù)
電流傳感器檢測主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實(shí)時性可能還有待提高;di/dt檢測主要是依據(jù)IGBT...
現(xiàn)在只總結(jié)IGBT驅(qū)動電路和驅(qū)動芯片能保護(hù)到的IGBT的項(xiàng)。
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個關(guān)鍵的多功能...
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
光伏逆變器是連接太陽能光伏電池板和電網(wǎng)之間的電力電子設(shè)備,主要功能是將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電通過功率模塊轉(zhuǎn)換成可以并網(wǎng)的交流電,是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的...
電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場,該磁場的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時會產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動動...
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件,但是在一些相對較高電流的...
認(rèn)識到這種情況的嚴(yán)重性,標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、行業(yè)團(tuán)體和政府機(jī)構(gòu)制定了新能源指南。這些指南通常采用引用效率曲線的形式,這些曲線規(guī)定了所有運(yùn)行負(fù)載(從 20% 到滿負(fù)...
IGBT關(guān)斷時,集電極電流Ic迅速減小到0,急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感,產(chǎn)生感應(yīng)電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上,使IGBT承受高于平常的電壓...
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
2022-08-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 986 0
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計(jì)具有較低體積、較高發(fā)動機(jī)轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時,需要在10us或者更短的時間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
電路圖其實(shí)就是最經(jīng)典的Marx電路,通過并聯(lián)充電,串聯(lián)放電來實(shí)現(xiàn)電壓的逐級累加,理論上可以獲得無窮大的電壓。開關(guān)這里選的全是1100V的IGBT,并且用...
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動循環(huán)等環(huán)境條件,要求對IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個使用壽命期間能確保其性能得到...
2022-08-06 標(biāo)簽:IGBT 2357 0
1200V 300A SiC MOSFET開關(guān)性能評估
由于快速開關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
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