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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來,汽車行業(yè)向電力驅(qū)動的轉(zhuǎn)變推動了碳化硅(SiC)應(yīng)用的增長, 也...
IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用 本文以HWKT—09型微機勵磁調(diào)節(jié)器為例,詳盡地闡述了IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的基本原理,并重點...
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 1173 0
瑞薩電子推出推出一款全新柵極驅(qū)動IC—RAJ2930004AGM
柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設(shè)計指南
驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路,都與器件的源極軌連。但是,驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn),因為輸入電壓不會作用到這些電路上。
IGBT能替換FGH40N60SFD型號應(yīng)用于破壁機電機驅(qū)動嗎?
FHA40T65A是一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 V...
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
2023-12-09 標(biāo)簽:電磁IGBT感應(yīng)加熱 1168 0
請問DIPIPM?的特殊應(yīng)用都有哪些呢?有哪些注意事項?
應(yīng)該很多用戶都注意到了,目前的DIPIPM都是3相橋電路。如果我只需要兩個橋臂做一個H橋的電源,應(yīng)該怎么弄呢?今天我們就來聊聊這個問題。
比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析
用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT,用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“~”之間的導(dǎo)通性,顯示導(dǎo)通,壓降為0.379 V。
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動,相電流監(jiān)測2
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時間和關(guān)斷時間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
奧迪電機驅(qū)動器(MCU)系統(tǒng)框圖、芯片、功能拆解
E-tron的逆變器的電壓覆蓋范圍為150V-460V,10 秒持續(xù)的最大電流為 530A,持續(xù)電流最大為 260A,功率密度為30kVA/L,和特斯拉...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT...
變頻器的參數(shù)設(shè)定在調(diào)試過程中是十分重要的。由于參數(shù)設(shè)定不當(dāng),不能滿足生產(chǎn)的需要,導(dǎo)致起動、制動的失敗,或工作時常跳閘,嚴(yán)重時會燒毀功率模塊IGBT或整流...
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