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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT的結(jié)構(gòu)組成特點是什么

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有柵極、集電極和發(fā)射極三個引腳。其工作原理與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)相似,但同時具...

2024-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 1291 0

永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型(2)

永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型(2)

三相兩電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示,由3個H半橋組成,因此直流側(cè)正母線電流i_p為三個H半橋的正母線電流之和,直流負(fù)母線電流i_n為三個H半橋的負(fù)母線電流之和。

2023-06-25 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)逆變器仿真器 1291 0

igbt功率管和場效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們在...

2024-08-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT功率管 1289 0

IGBT輸出IV溫度特性介紹

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IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm

2023-07-05 標(biāo)簽:多晶硅IGBT輸入電容 1288 0

探秘銅基板:IGBT高效散熱的關(guān)鍵所在

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隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...

2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 1285 0

igbt驅(qū)動波形主要看什么參數(shù)

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個方面,它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中,我們將介紹IG...

2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動IGBT晶體管 1280 0

新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

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高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...

2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1277 0

IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—輸入電容(下)

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上一章我們講到圖片的變化趨勢,可以按照相同的方式進(jìn)行分析,即 柵極與漏極極之間的電容。

2023-11-29 標(biāo)簽:IGBTMOS等效電路 1275 0

IGBT—儲能端分析

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功率電子器件是PCS的核心組成部分,主要實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件,今天我們主要來學(xué)習(xí)IGBT。

2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓IGBT 1275 0

淺談IGBT用途及優(yōu)點

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IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,軍工航天領(lǐng)域的飛機(jī)、艦艇以及新能源...

2023-05-22 標(biāo)簽:變頻器IGBT 1274 0

陶瓷覆銅板在光伏發(fā)電系統(tǒng)的重要作用

光伏逆變器是連接太陽能光伏電池板和電網(wǎng)之間的電力電子設(shè)備,主要功能是將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電通過功率模塊轉(zhuǎn)換成可以并網(wǎng)的交流電,是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的...

2022-08-26 標(biāo)簽:太陽能電池板IGBT光伏發(fā)電 1270 0

變頻驅(qū)動器(VFD)和IGBT逆變器過壓保護(hù)方案

眾所周知,在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為...

2023-04-15 標(biāo)簽:二極管TVS逆變器 1266 0

IGBT模塊/IPM的安全運行設(shè)計方案

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由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動電路和保護(hù)電路可以對超出IGBT 安全工作區(qū)的運行模式加以保護(hù)以免...

2023-08-25 標(biāo)簽:保護(hù)電路IGBTIPM 1257 0

電控IGBT模塊入門詳解

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當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多

2023-05-29 標(biāo)簽:新能源汽車控制器IGBT 1257 0

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢?

為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢?

功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、光伏、風(fēng)能和...

2024-06-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 1253 0

變頻器電機(jī)驅(qū)動使用什么IGBT?

對于為何使用FHA40T65A的IGBT代換FGH40N60SFD型號參數(shù)應(yīng)用于變頻器電機(jī)驅(qū)動呢?相信會有比較多的電子開發(fā)工程會存在疑問。

2023-02-19 標(biāo)簽:變頻器電機(jī)驅(qū)動IGBT 1251 0

IGBT短路時電流為什么那么大?

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,因其高效率和快速開關(guān)特性而受到青睞。

2024-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 1250 0

隔離驅(qū)動IGBT的設(shè)計技巧

隔離驅(qū)動IGBT的意義在于,它可以將低電壓的控制信號轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號,從而控制IGBT晶體管的開關(guān),從而實現(xiàn)高效的電力控制。

2023-02-15 標(biāo)簽:IGBT控制信號隔離驅(qū)動 1244 0

與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點?

與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點?

其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。

2023-11-29 標(biāo)簽:IGBTMOSPN結(jié) 1244 0

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而,越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看,單個MOSFET不太可能被靜電放電(ESD)損壞。然而...

2022-07-30 標(biāo)簽:ESDMOSFETIGBT 1241 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號,通過光纖傳送后,接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發(fā)生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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