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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極性晶體管)被廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的功率電子領(lǐng)域,例如電力傳輸、...
變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動機的電源裝置,目前在國內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...
選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個方面: 電壓等級:選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級。通常情況下,IGBT的額定電壓等級應(yīng)大于實際電路中的最...
600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列:兼具業(yè)內(nèi)出優(yōu)異的降噪和低損耗特性
600V耐壓IGBT IPM:BM6337x系列?關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 ...
Vector與CSM助力核心技術(shù)創(chuàng)新,提升汽車終端用戶體驗
無論是“碳達峰,碳中和”的國家愿景,還是“到2025年,純電乘用車新車平均電耗降至12.0千瓦時/百公里,到2035年,純電汽車成為新銷售車輛的主流,公...
IGBT過流保護技術(shù)在工業(yè)電機驅(qū)動中的應(yīng)用
工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...
矢量控制變頻調(diào)速的做法是:將異步電動機在三相坐標系下的定子交流電流Ia、Ib、Ic、通過三相—二相變換,等效成兩相靜止坐標系下的交流電流Ia1Ib1,再...
變頻器,也稱為變頻調(diào)速器,是一種能夠?qū)﹄娫措妷哼M行精確調(diào)節(jié)的電力電子設(shè)備。它通過電子元器件(如晶閘管、IGBT等)將輸入的交流電源進行整流和逆變,輸...
功率半導(dǎo)體的類型有多種,其中最常用的是MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT(可控硅晶體管)和SCR(可控整流器)。MOSFET是一種可...
2023-02-15 標簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1348 0
基于PWM脈寬調(diào)制技術(shù)的變頻技術(shù)
就是以PWM方式對直流電進行調(diào)制的變頻器。PWM是脈沖寬度調(diào)制的意思。變頻器是將外界固定頻率的電源先轉(zhuǎn)化成直流,再根據(jù)外電路的需要逆變成所需頻率、電壓的...
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設(shè)備...
如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢?
單相組串式逆變器里面會有Heric后極逆變是需要使用IGBT單管的,目前我們看到單相組串式逆變器正朝采用多層次拓撲結(jié)構(gòu)的逆變器發(fā)展方向。
2023-05-06 標簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1314 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,如變頻器、電動機驅(qū)動、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中,IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要,而退飽和現(xiàn)象...
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