完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:2831個(gè) 瀏覽:249441次 帖子:479個(gè)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT...
隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已成為當(dāng)今電子設(shè)備不可或缺的核心技術(shù)之一。而在眾多半導(dǎo)體器件中,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)以其高效、可靠的特性廣泛應(yīng)用于...
2024-08-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率半導(dǎo)體 1271 0
安森美SPM31系列1200V IGBT在三相熱泵的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
熱泵是一種既高效又環(huán)保的供暖方式,其可靠性和實(shí)用性已得到充分驗(yàn)證。它是推動(dòng)全球向可持續(xù)供暖趨勢(shì)發(fā)展的核心力量,運(yùn)行所需的電力具有低排放的特點(diǎn)。在與傳統(tǒng)鍋...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強(qiáng)IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí),以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
首先,根據(jù)整車的路譜數(shù)據(jù)來計(jì)算電流、功率因數(shù)等參數(shù),同時(shí)要考慮到冷卻水的流量和溫度。 接著,利用這些參數(shù)結(jié)合IGBT的熱特性,可以計(jì)算出時(shí)域上的溫度分布...
IGBT功率模塊結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖: IGBT的失效形式及其機(jī)理主要包含以下兩種: 芯片頂部鋁鍵合線的開裂和翹起。 這種現(xiàn)象是由于電流在導(dǎo)線中流動(dòng)產(chǎn)生熱量,進(jìn)而引...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件,其關(guān)斷過程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管(BJT)和場(chǎng)效...
為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)在電力電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用,如變頻器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力傳輸?shù)?。在這些應(yīng)用中,IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷特性至關(guān)重要,而退飽和現(xiàn)象...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開關(guān)過...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件,其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問題的詳...
IGBT關(guān)斷尖峰電壓產(chǎn)生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析
在光伏逆變器等大功率應(yīng)用場(chǎng)合,主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。IGBT關(guān)斷時(shí),集電極電流下降率較高,即存在較高的d...
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)和絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transisto...
2024-07-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 2301 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于工...
可以。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體管,它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT...
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 1112 0
igbt驅(qū)動(dòng)波形主要看什么參數(shù)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)驅(qū)動(dòng)波形是電力電子技術(shù)中非常重要的一個(gè)方面,它直接影響到IGBT的開關(guān)速度、損耗、可靠性等性能指標(biāo)。在本文中,我們將介紹IG...
2024-07-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT晶體管 1265 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形的正常表現(xiàn)及影響因素
IGBT焊機(jī)是一種高效、節(jié)能的焊接設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種金屬焊接領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形對(duì)于焊接質(zhì)量、設(shè)備性能和使用壽命等方面具有重要影響。 一、IG...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |