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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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1kA脈沖電流發(fā)生器測(cè)控電路的設(shè)計(jì)案例
脈沖電流是很快的一次性暫態(tài)量,而且電流幅值較大,當(dāng)采集測(cè)試時(shí),對(duì)測(cè)試設(shè)備元器件要求較高。
使用高壓電子設(shè)計(jì)?這些規(guī)范知識(shí)你應(yīng)該知道的
對(duì)于將設(shè)計(jì)時(shí)間花在個(gè)位數(shù)、低壓世界的工程師來說,“高壓”一詞可能會(huì)讓人聯(lián)想到兩位數(shù)的電壓,可能高達(dá) 24V 或 48V DC,甚至是三位數(shù)的電壓域120...
門驅(qū)動(dòng)的欠壓保護(hù)功能及其注意事項(xiàng)
IGBT/MOSFET等全控型開關(guān)器件在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用日趨廣泛,相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)芯片集成度也越來越高,其中欠壓保護(hù)功能由于可以防止開關(guān)管在門極電壓較...
淺談SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
米勒平臺(tái)產(chǎn)生的原因,是在MOSFET開通過程中,當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí),門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電,不給柵-源電容Cgc充電,從而V...
如何利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路,改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置,即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡(jiǎn)稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
不間斷電源的產(chǎn)品會(huì)有不同的標(biāo)準(zhǔn),常見會(huì)有GB 4943-2011、IEC 62040-1:2017、UL1778 4th Edition、EN 6204...
2023-04-20 標(biāo)簽:IGBT不間斷電源快恢復(fù)二極管 1434 0
但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進(jìn)精電動(dòng)招股說明書,電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動(dòng)電機(jī)總成(將動(dòng)力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機(jī)械能,是輸出動(dòng)力的來源)、控制器總成(基于功...
2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 1433 0
車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道,也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件,車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...
2023-07-06 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1428 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子器件,廣泛應(yīng)用于變頻器、電動(dòng)汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域。IGBT的導(dǎo)通壓降(Vce(sat))是指在IGBT導(dǎo)通...
IGBT全稱叫做絕緣柵雙極型晶體管,實(shí)際上就是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起,一種非常簡(jiǎn)單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新,卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化,是科技創(chuàng)新...
車規(guī)級(jí)IGBT有多重要?海外巨頭占據(jù)主要市場(chǎng) 國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT...
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 1389 0
經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn),總覺得這個(gè)不是很簡(jiǎn)單嗎,不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng),然后經(jīng)過幾萬次循環(huán),再測(cè)試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電壓 1380 0
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