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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的工作區(qū)主要涉及其在不同工作狀態(tài)下的安全運行區(qū)域,這些區(qū)域定義了IGBT在特定條件下的電壓、電流及功率限制,以確保其穩(wěn)定運...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種在功率電子領域中廣泛使用的半導體器件,用于在高電壓、高電流的情況下控...
根據(jù)電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關(開通和關斷)損耗,而二極管損耗包括導通和關斷損...
中國一般是220V,由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定,很多時候要求寬電壓輸入,所以會設計成90-270V都能正常工作。通常美國用電范圍為110-130V,日本用電范...
IGBT模塊可以分為低壓(600V以下),中壓(600V-1200V)和壓(1200V-6700V),IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...
光伏儲能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們在系統(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關鍵作用。
推挽逆變電路與橋式逆變電路是兩種常見的逆變電路形式,它們在結構、工作原理、應用領域等方面存在一些區(qū)別。以下是對這兩種逆變電路的比較: 結構區(qū)別 推挽逆變...
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