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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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我們知道本征半導(dǎo)體是不導(dǎo)電的,好比純水的導(dǎo)電性不強(qiáng),想要它導(dǎo)電,就摻上雜質(zhì)。讓水導(dǎo)電就給他加鹽,產(chǎn)生離子,讓半導(dǎo)體導(dǎo)電,就摻上三價(jià)或者五價(jià)元素,形成空穴...
隨著電子產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高,器件的單位功率也越來(lái)越大,特別是在5G通信、汽車(chē)電子.軌道交通、光伏、軍工航天等領(lǐng)域,大功率晶體管、射頻元件、LED、IG...
IGBT模塊壽命評(píng)估實(shí)驗(yàn)依據(jù)
隨著高速動(dòng)車(chē)組列車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展
2023-06-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTDBC 1843 0
什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅(qū)系統(tǒng)”? IGBT模塊結(jié)構(gòu)和汽車(chē)IGBT模塊應(yīng)用
在駕駛新能源汽車(chē)時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個(gè)過(guò)程即逆變),讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,再通過(guò)傳動(dòng)系統(tǒng)...
2023-11-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT配電箱 1841 0
Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究
摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法,并提供了具體的估算公式。以30k...
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 1836 0
為什么要進(jìn)行IGBT壽命估算?IGBT壽命估算工具能做什么?
器件的壽命是對(duì)于不同場(chǎng)景使用而言的,不同環(huán)境下每個(gè)器件的壽命有所差別。影響器件使用時(shí)間的首先是器件本身的性能,其次是它的工作環(huán)境。
一般情況下,由于各廠家的設(shè)計(jì)理念不同,直流側(cè)的電容在設(shè)計(jì)上可能存在差異。當(dāng)變頻器中所使用的濾波電容電容量足夠大,在工作時(shí),能夠吸收較多的能量,使用工況不...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域的核心器件,以其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能在諸多領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。其工作原理基于絕緣柵結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高輸入阻抗與...
功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測(cè)試方法
功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫,直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?;谕☉B(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1813 0
IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...
2024-03-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT晶體管 1812 0
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時(shí),我們通過(guò)建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
下面是貼片二極管封裝圖,一般帶白線的是陰極,如果不清楚,就用萬(wàn)用表調(diào)制二極管檔,當(dāng)出現(xiàn)零點(diǎn)幾伏壓降的時(shí)候,紅表筆就代表二極管陽(yáng)極,黑表筆代表陰極。
充電樁是指為電動(dòng)汽車(chē)提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類(lèi)似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車(chē)場(chǎng)等)和居民小...
2024-01-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTMOS 1798 0
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1793 0
柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車(chē)快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT的驅(qū)動(dòng)方式可以電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)兩種,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高電壓、大電流、快速開(kāi)關(guān)等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1790 0
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