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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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在現(xiàn)代電動車輛和電力電子領(lǐng)域,電機(jī)控制器扮演著至關(guān)重要的角色,它負(fù)責(zé)控制電機(jī)的運行,確保車輛或其他設(shè)備的正常運行。而IGBT(Insulated Gat...
在ROS學(xué)習(xí)平臺中常常使用到的直流電機(jī)控制原理與驅(qū)動電路
在使用ROS機(jī)器人構(gòu)建地圖的過程中,需要在房間內(nèi)自主運行,采集地圖信息。這個過程中需要控制電機(jī)的正反轉(zhuǎn),電機(jī)的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機(jī)器人直行,轉(zhuǎn)彎等動作。
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區(qū),同時背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流I...
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 (株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國家重點實驗室) 摘要: 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)...
加強功率模組可靠性,功率循環(huán)/量測系統(tǒng)首當(dāng)其沖
在可預(yù)見的將來,功率電子元件的使用將持續(xù)不斷的增加。任何需要電力變換、轉(zhuǎn)換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。##結(jié)構(gòu)函數(shù)的數(shù)學(xué)運算相當(dāng)復(fù)雜,但...
智能IGBT在汽車點火系統(tǒng)中的應(yīng)用 要產(chǎn)生火花,你所需的器件包括電源、電池、變壓器(即點火線圈),以及用于控制變壓器初級電流的開關(guān)。電子...
斬波是電力電子控制中的一項變流技術(shù),其實質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
儲能逆變器的作用不僅有利于提升儲能系統(tǒng)的效率及運行穩(wěn)定性,而且也是整個儲能系統(tǒng)中多種信息傳遞與處理、實時人機(jī)交互的信息平臺,是非常關(guān)鍵設(shè)備。
2023-06-16 標(biāo)簽:電力電子器件IGBT半導(dǎo)體器件 1872 0
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面,通常使用氧化硅(SiO2)等絕緣材料,用于隔離控制電極(柵極)與功率電極(P區(qū)和N+區(qū))。
不同 IGBT 架構(gòu)的高效電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
IGBT 提供驅(qū)動重要逆變器級所需的開關(guān)能力。通常,使用 200-240 V AC電源供電的驅(qū)動器需要 600 V 的額定阻斷電壓,而 460 V A...
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運而生了。
國內(nèi)龐大的市場基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險和國家產(chǎn)業(yè)升級共同推動了本土IGBT芯片設(shè)計、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
高效節(jié)能電機(jī)與變頻節(jié)能電機(jī)工作原理
高效節(jié)能電機(jī)工作原理: 采用新型電機(jī)設(shè)計、新工藝及新材料,通過降低電磁能、熱能和機(jī)械能的損耗,提高輸出效率。
2023-01-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT節(jié)能電機(jī) 1854 0
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