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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...
階段1(0—t1):在此階段,柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電,但是VGE<Vth,溝道未開(kāi)啟。
2023-07-12 標(biāo)簽:電感器IC設(shè)計(jì)IGBT 1979 0
如何入手分析PMSM電機(jī)輸出扭矩波動(dòng)和扭矩偏差的現(xiàn)象?
電驅(qū)產(chǎn)品前期開(kāi)發(fā)階段,時(shí)常遇到電機(jī)輸出扭矩波動(dòng)或扭矩偏差的現(xiàn)象,甚至在后期客戶裝車時(shí)也會(huì)出現(xiàn)這現(xiàn)象,這就要求現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試人員快速鎖定問(wèn)題點(diǎn),減少項(xiàng)目技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。
IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件...
開(kāi)通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計(jì),不需要計(jì)算。為了計(jì)算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個(gè)能量之和乘以開(kāi)關(guān)頻率。
變頻器現(xiàn)今已經(jīng)被廣泛使用,技術(shù)成熟,易操作。即使是沒(méi)有相關(guān)技術(shù)知識(shí),也可以很快學(xué)會(huì)。不過(guò),使用過(guò)程中,因?yàn)楦鞣矫嬖颍€是會(huì)遇到各種問(wèn)題,很多變頻器自身...
2023-06-14 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī) 1968 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高性能半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。然而,由于IGBT的驅(qū)動(dòng)電路...
2023-12-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)IGBT晶體管 1966 0
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 1965 0
淺談各種SiC IGBT器件的制作過(guò)程與相關(guān)性能
通常來(lái)講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 1964 0
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
igbt內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理分析
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和GTR(大功率晶體管)的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 1956 0
雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測(cè)試方法與結(jié)果分析
為解決上述問(wèn)題,本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測(cè)試方法,對(duì)傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化,分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對(duì)結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。
IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器: TLP2451
隨著系統(tǒng)尺寸的進(jìn)一步減小,封裝密度進(jìn)一步升高,工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域?qū)δ芷骷母邷夭僮餍枨笤絹?lái)越大。東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器,這款產(chǎn)品...
開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)和選型注意事項(xiàng) 機(jī)械開(kāi)關(guān)的類型
開(kāi)關(guān)在我們?nèi)粘I钪兴究找?jiàn)慣,其種類繁多,無(wú)處不在。開(kāi)關(guān)有無(wú)數(shù)種形式,從微小的按鈕到巨大的控制器,功能多種多樣。這種多樣性受到機(jī)械或電氣操作、手動(dòng)或電子...
2023-12-28 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFET半導(dǎo)體 1945 0
功率半導(dǎo)體迎來(lái)SiC時(shí)代?碳化硅(SiC)的需求快速增長(zhǎng)
在新能源汽車終端市場(chǎng)中,隨著SiC材料價(jià)格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長(zhǎng),來(lái)自于車載充電、驅(qū)動(dòng)逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。
2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 1945 0
兼顧高耐壓與低Vce(sat)性能的650V場(chǎng)截止溝槽式IGBT受熱捧
絕緣閘雙極電晶體(IGBT)是一種少數(shù)載子功率元件,擁有高輸入阻抗和高雙極電流功能,這些特性使其適用于多種電力電子產(chǎn)品,特別是馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不斷電系統(tǒng)(U...
2013-08-28 標(biāo)簽:IGBT 1944 0
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
本文由英飛凌科技的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級(jí)技術(shù)市場(chǎng)經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清...
代對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開(kāi)關(guān)管呢?
對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開(kāi)關(guān)管呢?
同惠TH2638A高速精密電容測(cè)量?jī)x應(yīng)用于新能源汽車
目前,新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革正在蓬勃發(fā)展,新能源汽車以其低碳、環(huán)保、低成本的優(yōu)勢(shì)受到消費(fèi)者的青睞。
2022-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT測(cè)量?jī)x 1925 0
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