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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1238人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：2837個 瀏覽：249485次 帖子：479個

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      用觀“燈”維修電磁爐的簡易方法參見下圖，拆開多功能插座，將連在插片上的硬線拆掉，再將白熾燈（俗稱燈泡）燈座的兩根弓f線分別接至斷開的兩端，然后安裝在電工...

      2022-09-15 標(biāo)簽：二極管IGBT電磁爐 2044 0

      混合IGBT支持電子應(yīng)用中的更高效率

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      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT肖特基二極管 2040 0

      33W超高性價比磁耦通訊快充方案

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      33W功率段快充可支持20V輸出，給電腦充電，同時也更適合A+C多口應(yīng)用，更適應(yīng)蘋果下一代機(jī)型充電，有望替代20W成為電商市場主流。為了滿足快速發(fā)展的快...

      2023-03-03 標(biāo)簽：充電器IGBT磁耦 2034 0

      如何抑制IGBT集電極過壓尖峰

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      2023-12-04 標(biāo)簽：芯片IGBT集電極 2033 0

      變頻器低電壓跳閘如何解決？

      變頻器低電壓主要是指中間直流回路的低電壓，一般能引起中間直流回路的低電壓的原因來自兩個方面。

      2023-01-14 標(biāo)簽：變頻器電動機(jī)低電壓 2027 0

      氮化鎵功率器件分類 氮化鎵充電器為什么充電快

      　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。

      2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2024 0

      IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（1）

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      分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單

      2023-11-30 標(biāo)簽：二極管IGBTMOS 2023 0

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      根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價帶中是一個統(tǒng)計概率，這個概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。

      2023-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT電荷 2020 0

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      2023-05-09 標(biāo)簽：濾波器變頻器PWM 2018 0

      igbt功率管柵極和集電極并聯(lián)電容的作用

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGB...

      2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT柵極集電極 2017 0

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      上次了解了熱阻，我們知道了熱阻類似電阻，可以看成表征導(dǎo)熱快慢的物理量，熱阻Rth=溫度差ΔT/功率P

      2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2011 0

      IGBT技術(shù)：MOS管基礎(chǔ)及選型指南

      寄生二極管和普通二極管一樣，正接會導(dǎo)通，反接截止，對于NMOS，當(dāng)S極接正，D極接負(fù)，寄生二極管會導(dǎo)通，反之截止；對于PMOS管，當(dāng)D極接正，S極接負(fù)，...

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      2023-02-11 標(biāo)簽：二極管IGBT 2009 0

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      對于后極逆變電路中的Two-level要選擇FHA60T65A型號的IGBT單管來應(yīng)用。尤其是對于單相光伏逆變器的產(chǎn)品，為何？

      2023-04-11 標(biāo)簽：UPSIGBT快恢復(fù)二極管 2009 0

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      2021-12-22 標(biāo)簽：電路IGBT晶體管 2007 0

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      從發(fā)展歷程來看，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

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      IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（1）

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      IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于P型區(qū)，當(dāng)IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

      2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管IGBT 2005 0

      干貨分享!青銅劍高集成度、高性價比新型車用門極驅(qū)動

      針對特性的需求可提供完整的高性能解決辦法，同時取得更好的EMC性能。目前市場上車用IGBT門極驅(qū)動器基本都是采用集成化的方案，分為光耦隔離和數(shù)字式隔離兩種方式。

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      晶閘管（Thyristor）與絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...

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      2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件雙極晶體管 1988 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
        做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
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      • K60
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光模塊
        光模塊
        +關(guān)注
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      • STM32單片機(jī)
        STM32單片機(jī)
        +關(guān)注
        STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計的ARM Cortex-M3內(nèi)核
      • 步進(jìn)驅(qū)動器
        步進(jìn)驅(qū)動器
        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
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