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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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控制周期或者控制頻率和控制效果的關(guān)系,是不是成正比,這個(gè)問(wèn)題沒(méi)有深入地驗(yàn)證過(guò),很難給出準(zhǔn)確答案。但是我可以給出一個(gè)相關(guān)的結(jié)論,這個(gè)結(jié)論就是:控制頻率越高...
2023-07-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 2113 0
上一章針對(duì)與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對(duì)與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-...
新650V場(chǎng)截止IGBT給感應(yīng)加熱應(yīng)用領(lǐng)域注入光明前景
IGBT是感應(yīng)加熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率半導(dǎo)體器件,采用合適的IGBT能夠提供低功率損耗以實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)具備高可靠性以便電磁爐在壽命期內(nèi)正常工作。
2014-09-05 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱場(chǎng)截止IGBT 2099 0
基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路原理
14、15接驅(qū)動(dòng)信號(hào),一般14腳接脈沖形成部分的地,15腳接輸入信號(hào)的正端,15端的輸入電流一般應(yīng)該小于20mA,故在15腳前加限流電阻。
2024-02-06 標(biāo)簽:IGBTEXB841驅(qū)動(dòng)電路 2094 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2094 0
IGBT功能是什么?IGBT市場(chǎng)的供需情況如何?
為什么IGBT和碳中和形成相關(guān)關(guān)系,我認(rèn)為清潔能源的大規(guī)模推廣,對(duì)IGBT提出更高的需求,最典型就是光伏逆變器的應(yīng)用,這里面需要大量高壓,超高壓的IGB...
2022-12-27 標(biāo)簽:IGBT 2093 0
漏電問(wèn)題的解決方案 為了避免這個(gè)問(wèn)題的發(fā)生,在硬件設(shè)計(jì)的時(shí)候,就加入了感應(yīng)電浪涌濾波器電路,并將浪涌濾波器的接地端于變頻器的外殼相連。
由于短路會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路,使得電流突然增大。IGBT作為開(kāi)關(guān)管,其額定電流通常有限,該突然增大的電流可能會(huì)超過(guò)IGBT管的額定電流,導(dǎo)致IGBT...
2024-02-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT電解電容 2085 0
碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估
前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)臻驅(qū)科技)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售新能源車(chē)動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2 019 年底,臻...
2020-11-24 標(biāo)簽:IGBT 2080 0
電路圖其實(shí)就是最經(jīng)典的Marx電路,通過(guò)并聯(lián)充電,串聯(lián)放電來(lái)實(shí)現(xiàn)電壓的逐級(jí)累加,理論上可以獲得無(wú)窮大的電壓。開(kāi)關(guān)這里選的全是1100V的IGBT,并且用...
如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開(kāi)始發(fā)展起來(lái),至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
基于IGBT模塊和驅(qū)動(dòng)器IC的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能、白色家電和電動(dòng)工具等應(yīng)用中持續(xù)增長(zhǎng)。伴隨著這種增長(zhǎng),對(duì)提高效率、降低成本、縮小封裝和簡(jiǎn)化整體設(shè)...
2022-07-21 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2068 0
我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起,這邊給他接一個(gè)電源,右邊接一個(gè)負(fù)載,然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān),那么這個(gè)負(fù)載上的電壓波形就是這么一個(gè)pwm波。那這個(gè)電路看上去很簡(jiǎn)單...
SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大...
100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)
摘要:隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來(lái)越無(wú)法滿(mǎn)足人們的要求,以太陽(yáng)能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具...
IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
IGBT模塊在三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器中的典型應(yīng)用案例如下圖,主要包含了整流、IGBT主電路、驅(qū)動(dòng)保護(hù)、PWM產(chǎn)生及控制電路,電流電壓反饋電路等。
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