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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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參考設(shè)計(jì):適用于半橋結(jié)構(gòu)的隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)Flybuck電源
本參考設(shè)計(jì)采用 Flybuck 變換器為 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器提供正負(fù)電壓軌。Flybuck 變換器可等效于降壓變換器和類似反激變換器二次側(cè)的組合,采用...
2023-05-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器BUCK 7340 0
碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以...
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 689 0
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō),就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電...
三菱電機(jī)開始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊
根據(jù)三菱電機(jī)截至2023年4月25日的研究,與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對(duì)比得出
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測(cè)技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,軍工航天領(lǐng)域的飛機(jī)、艦艇以及新能源...
本文解決了這些問(wèn)題,并通過(guò)并行比較,證明了碳化硅(SiC)是迄今為止在高功率應(yīng)用中優(yōu)于硅基器件的選擇。該演示使用 UPS 和充電器系統(tǒng)的一個(gè)重要部分,即...
SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度
牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1149 0
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使...
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動(dòng)化趨勢(shì)正在不斷加快。過(guò)去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場(chǎng)整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETIGBT 1092 0
FHA75T65A型號(hào)IGBT適用于單相組串式逆變器
單相組串式逆變器在家用市場(chǎng)中的發(fā)展越發(fā)側(cè)重在互聯(lián)網(wǎng)連接隨時(shí)隨地監(jiān)控實(shí)的時(shí)代,因此模塊級(jí)對(duì)于電源優(yōu)化器的需求是有顯著增長(zhǎng)的勢(shì)頭。
2023-05-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1015 0
如何正確理解IGBT模塊規(guī)格書中的主要參數(shù)?
當(dāng)我們?cè)谶x擇一款I(lǐng)GBT模塊做功率回路設(shè)計(jì)時(shí),首先都會(huì)問(wèn)到兩個(gè)最基本的參數(shù),這個(gè)模塊是多少伏、多少安培的?
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