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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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功率半導(dǎo)體(IGBT/MOSFET)在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用
電動(dòng)汽車的電能控制主要是把電從電池輸出到電機(jī)上,怎么隨心所欲地實(shí)現(xiàn)輸出?
2023-05-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 1947 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性,它一般用于電場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和Insulated Gate Field Effect (IGBT)史v實(shí)...
2023-05-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT數(shù)字晶體管 1049 0
近年來,功率半導(dǎo)體用戶深刻地意識(shí)到不確定的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來挑戰(zhàn)相當(dāng)棘手。因此,在設(shè)計(jì)變頻器時(shí),"多元采購 "一直是用戶的需求。賽米控...
介紹MOSFET絕對(duì)最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對(duì)最大值電壓,在管子工作時(shí),這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時(shí),VDS電壓都要降額80%選用。
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多
SVG是典型的電力電子設(shè)備,由三個(gè)基本功能模塊構(gòu)成:檢測(cè)模塊、控制運(yùn)算模塊及補(bǔ)償輸出模塊。其工作原理為由外部CT檢測(cè)系統(tǒng)的電流信息,然后經(jīng)由控制芯片分析...
IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件,IGBT的驅(qū)...
2023-05-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT變流器 6217 0
一開始我們簡(jiǎn)單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理,不同的行業(yè)對(duì)使用IGBT時(shí),對(duì)于其深入的程度可能不一樣,但是作為一個(gè)開關(guān)器件,開通和關(guān)斷的過程
從電壓電流對(duì)IGBT的關(guān)斷過程進(jìn)行分析
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
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