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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進精電動招股說明書,電驅(qū)動系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動電機總成(將動力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機械能,是輸出動力的來源)、控制器總成(基于功...
2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 1433 0
對于工程設(shè)計人員來講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書中很直觀地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計時,這些性能能夠發(fā)揮出來多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效...
CM3003:高性價比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動器
摘要:CM3003是一款高性價比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動器芯片,具有邏輯信號輸入處理、欠壓保護、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動等功能。該芯片適用于無...
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 729 0
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