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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2549 0
IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊(Module),而不是單管。
如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號(hào)參數(shù)的IGBT單管來(lái)應(yīng)用呢?
在整個(gè)光伏逆變器的開(kāi)發(fā)中,單相組串式光伏逆變器的前級(jí)升壓通常采用高效的升壓轉(zhuǎn)換器,如Boost轉(zhuǎn)換器或SEPIC轉(zhuǎn)換器等,以提高電路效率和穩(wěn)定性。
2023-04-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT快恢復(fù)二極管 2512 0
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案
在工業(yè)應(yīng)用中,一般都是利用這些瞬時(shí)過(guò)電流保護(hù)信號(hào),通過(guò)觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能,構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路,以避免保護(hù)電路在過(guò)流時(shí)的頻繁動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)可取的過(guò)...
為了確保高水平的功能安全以保護(hù)車輛操作員以及第一代系統(tǒng),使能套件中包含系統(tǒng)級(jí)功能安全白皮書(shū)、設(shè)備FMEDA和功能安全運(yùn)行時(shí)框架,適用于ASIL C/D ...
2023-03-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT功率逆變器 2506 0
MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動(dòng)電流顯著增加,二者協(xié)同工作,從而改善了整個(gè)器件的特性。
2023-04-24 標(biāo)簽:IGBTMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2502 0
針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板,結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì),結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命...
2023-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車模塊仿真 2491 0
開(kāi)關(guān)電源尖峰干擾的產(chǎn)生原因和抑制方法
開(kāi)關(guān)電源的尖峰干擾是一個(gè)復(fù)雜而重要的問(wèn)題,它主要源于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部高頻開(kāi)關(guān)器件的快速通斷過(guò)程。這種干擾不僅影響開(kāi)關(guān)電源本身的性能,還可能對(duì)周圍的其他電子設(shè)...
2024-08-19 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源IGBT尖峰干擾 2490 0
閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...
用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量igbt好壞判斷
IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。正確判斷IGBT的好壞對(duì)于確保設(shè)備的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 1. IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:數(shù)字萬(wàn)用表IGBT電源轉(zhuǎn)換 2477 0
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個(gè)極控制。 如圖1,IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
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