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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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永磁同步電機控制系統(tǒng)仿真—PWM比較器的Simulink模型
輸入的是三相的正弦波信號,三角載波與正弦信號波進行比較,當正弦信號波的值大于三角載波的值,輸出“1”,否則,就輸出“0”;PWM比較器一共生成6個PWM...
1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應用系統(tǒng)中,I...
烈日炎炎的天氣是變頻器發(fā)熱的硬傷,現(xiàn)有大批研究及實踐表明變頻器的故障率會隨溫度的升高而上升,使用壽命隨溫度的升高而下降,環(huán)境溫度升高10℃,變頻器使用壽...
比較兩種并聯(lián)驅(qū)動方式對功率回路耦合特性分析
作為一種電壓控制型器件,絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)由于其通態(tài)壓降低、開關速度高...
變頻器現(xiàn)今已經(jīng)被廣泛使用,技術成熟,易操作。即使是沒有相關技術知識,也可以很快學會。不過,使用過程中,因為各方面原因,還是會遇到各種問題,很多變頻器自身...
AN-1316:為IGBT電機驅(qū)動器生成多個隔離偏置軌
最先進的電機驅(qū)動器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的逆變器,該逆變器由直流母線電壓供電,通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍...
IGBT是由MOSFET和GTR技術結合而成的復合型開關器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構成的,性能上也是結合了MOSFET和雙極型功...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
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