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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

文章:2835 瀏覽:249481 帖子:479

igbt技術

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2023-06-20 標簽:變頻器IGBT風扇 1.5萬 0

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2023-06-19 標簽:三極管新能源汽車MOS管 1730 0

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2023-06-16 標簽:電力電子器件IGBT半導體器件 1871 0

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2023-06-13 標簽:驅(qū)動器電機IGBT 2308 0

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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
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