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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT模塊應(yīng)用需要注意什么?IGBT電平錯(cuò)位軟開關(guān)設(shè)計(jì)
在為IGBT模塊安裝散熱器時(shí),每個(gè)螺釘需按說明書中給出的力矩?cái)Q緊。力矩不足會導(dǎo)致熱阻增加或運(yùn)動(dòng)中出現(xiàn)螺釘松動(dòng)現(xiàn)象。僅安裝一個(gè)IGBT模塊時(shí),應(yīng)將其裝在散...
如何通過柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化
SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢源于它們的帶隙,價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價(jià)帶移動(dòng)到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。
2021-02-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電源開關(guān) 2637 0
1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應(yīng)用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機(jī)變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應(yīng)用系統(tǒng)中,I...
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過,如低損耗、高速...
2022-07-26 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC-MOSFET 2616 0
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
東芝半導(dǎo)體推出具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件GT30N135SRA
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價(jià)比在業(yè)界被廣泛應(yīng)用,特別是在工業(yè)控制領(lǐng)域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導(dǎo)體的家族分支,不僅融合了BJT和MOSF...
2022-04-19 標(biāo)簽:IGBT家電東芝半導(dǎo)體 2615 0
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
功率半導(dǎo)體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBT功率半導(dǎo)體 2613 0
短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要,因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測到短路并采取措施(如關(guān)...
2024-02-06 2609 0
在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常使用,它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種先進(jìn)的電力電子器件。IGBT芯片結(jié)合了MOS...
所有類型的電動(dòng)汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動(dòng)公交車和其他電子交通電源系統(tǒng),需要更高的碳化硅(SiC)技術(shù)來取代舊的硅FET和IGBT。安全高...
2023-05-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTSiC 2596 0
相對于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
電驅(qū)系統(tǒng)三大核心之IGBT模塊如何工作?主要汽車IGBT模塊供應(yīng)商介紹
? 當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模...
PWM控制型IGBT的EMI機(jī)理與抑制優(yōu)化設(shè)計(jì)方法探討
驅(qū)動(dòng)器類IGBT控制方式,特別是變頻器類,有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語描述
2023-09-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBT 2575 0
IGBT組成的H橋功率單元和級聯(lián)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)有什么不同?
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子設(shè)備中常用的高效能開關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極晶體管的低導(dǎo)通壓降特點(diǎn)。
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