完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:2834個(gè) 瀏覽:249481次 帖子:479個(gè)
場控晶閘管(MCT)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
請(qǐng)問大功率IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)器如何實(shí)現(xiàn)呢?
數(shù)字電路憑借其具有高穩(wěn)定性、高可靠性、可編程性、易于設(shè)計(jì)和經(jīng)濟(jì)性等突出特點(diǎn),其應(yīng)用日益普遍。
2023-07-04 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT隔離電源 585 0
如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動(dòng)態(tài)特性呢?
IGBT的開關(guān)特性是通過對(duì)門極電容進(jìn)行充放電來控制的,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
關(guān)于驅(qū)動(dòng)器/IC的峰值拉電流和灌電流能力
在大功率應(yīng)用場合,經(jīng)常用到驅(qū)動(dòng)器(包括隔離驅(qū)動(dòng)器、有時(shí)這也稱專用驅(qū)動(dòng)IC)。而衡量其驅(qū)動(dòng)能力,說白了就, 能帶多大的管子的能力,體現(xiàn)在規(guī)格書中的一些參數(shù)中。
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、...
工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中IGBT的作用
針對(duì)所有的應(yīng)用,人們?cè)絹碓阶⒁怆妱?dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率;因此,對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì),例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體...
2023-07-01 標(biāo)簽:IGBT雙極晶體管電動(dòng)馬達(dá) 735 0
為什么要使用SVPWM策略?SVPWM調(diào)制策略要點(diǎn)講解
SVPWM(Space Vector Pulse Width Modulation,空間矢量脈寬調(diào)制)是近年發(fā)展的一種比較新穎的電機(jī)控制方法
新能源汽車核心部件IGBT模塊想要過AECQ101認(rèn)證,需要要做哪些測試?
電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT模塊的作用 要了解IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電...
IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn),因而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請(qǐng)注意。
一、前言 對(duì)新能源汽車而言,電池技術(shù)、電機(jī)技術(shù)、電機(jī)控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、...
電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理,利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場,該磁場的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會(huì)產(chǎn)生無數(shù)小渦流,使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動(dòng)動(dòng)產(chǎn)生...
2023-06-29 標(biāo)簽:mcu線圈開關(guān)電源 3501 0
電力電子元件可提高所有行業(yè)和應(yīng)用中電機(jī)和馬達(dá)的能源效率。這些電力電子元件越來越多地被更密集地封裝在一起,靠近或放置在電機(jī)本身附近或上面,因此受到應(yīng)用中的...
逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的設(shè)備,它的主要原理是利用半導(dǎo)體器件(如場效應(yīng)管或晶閘管等)的開關(guān)特性,通過快速切換來控制電源電壓和電流,從而實(shí)現(xiàn)將直流...
2023-06-28 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶閘管逆變器 2.3萬 0
雙向開關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能
雙向電源開關(guān) (BPS) 是一種使用 MOSFET 或 IGBT 構(gòu)建的有源器件,在上電時(shí)允許雙向雙向電流流動(dòng),并在斷電時(shí)阻止雙向電壓流。
先進(jìn)單溝道高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器GD3160介紹
電動(dòng)車逐漸代替燃油車已經(jīng)成為一種不可逆轉(zhuǎn)的趨勢(shì)。電動(dòng)車上最主要的動(dòng)力來源就是主驅(qū)電機(jī),所以作為主驅(qū)電機(jī)的控制方案就變得尤為重要。
2023-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 5502 0
永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型(2)
三相兩電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示,由3個(gè)H半橋組成,因此直流側(cè)正母線電流i_p為三個(gè)H半橋的正母線電流之和,直流負(fù)母線電流i_n為三個(gè)H半橋的負(fù)母線電流之和。
2023-06-25 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)逆變器仿真器 1291 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |