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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT的基本工作原理、開(kāi)關(guān)特性及其輸入特性
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種三端子的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高輸入阻抗和BJT(雙極型晶體管)...
在這種情況下,不再容易忽略需要重新加載的內(nèi)部電容,而這些電容在小型MOSFET的控制中幾乎不起任何作用。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器光纖IGBT 2751 0
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
反激式開(kāi)關(guān)電源是如何構(gòu)成與工作的電路
反激式開(kāi)關(guān)電源是一種將輸入電源轉(zhuǎn)換為所需輸出電壓的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它通過(guò)周期性地開(kāi)關(guān)功率開(kāi)關(guān)器件,控制電能的傳輸和變換。
2023-09-25 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源IGBT 2738 0
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡...
一般情況下,常見(jiàn)的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓,而反向阻斷電壓一般不會(huì)在Datasheet中被提及到,這是因?yàn)镮GBT通常會(huì)反并聯(lián)續(xù)流二極管
為什么要使用SVPWM策略?SVPWM調(diào)制策略要點(diǎn)講解
SVPWM(Space Vector Pulse Width Modulation,空間矢量脈寬調(diào)制)是近年發(fā)展的一種比較新穎的電機(jī)控制方法
電力電子控制器PID參數(shù)的幾種調(diào)試方法
電力電子轉(zhuǎn)換器(Power Electronics Converter)指的是主要通過(guò)開(kāi)關(guān)器件和其他電路的組合將一種形式的電源轉(zhuǎn)化成另外一種形式的電源。
2023-06-01 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT電源適配器 2701 0
什么是IGBT?IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和相關(guān)工藝
IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡(jiǎn)稱,中文稱作絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管) 和MOS ...
2023-12-12 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2699 0
通態(tài)損耗Ps。大體來(lái)講,通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即:Ps=Ic*Uces。
2022-10-13 標(biāo)簽:IGBT續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 2691 0
純電動(dòng)或混動(dòng)動(dòng)力汽車上的電機(jī)控制器MCU(Motor Control Unit),其主要功能就是將電池的高壓直流電,轉(zhuǎn)換為交流電,來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)運(yùn)行。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件,在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心,IGBT結(jié)合了MOSFET...
功率器件終端區(qū)設(shè)計(jì)的必要性、工作原理及注意事項(xiàng)
MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開(kāi)關(guān)作用的均是功率器件的有源區(qū),那為什么還要在周圍設(shè)計(jì)一圈終端區(qū)浪費(fèi)芯片的一部分面積呢
詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)
在變頻器的應(yīng)用中,假負(fù)載是一種重要的輔助設(shè)備,主要用于測(cè)試和保護(hù)變頻器模塊。本文將詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)。
IGBT的動(dòng)態(tài)特性及開(kāi)通過(guò)程
導(dǎo)通時(shí),當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓,電流開(kāi)始通過(guò)IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC(集電極電流)上升到特定值時(shí),VCE(集電極-發(fā)射極電壓)下降的速度。
IGBT技術(shù)發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同,IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型,其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主,而軌道交通、新能源發(fā)電和...
2023-04-04 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT功率半導(dǎo)體 2658 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器...
為什么要標(biāo)準(zhǔn)化模塊化電驅(qū)呢?如何做好電驅(qū)動(dòng)的標(biāo)準(zhǔn)化模塊化?
電機(jī)的結(jié)構(gòu),主要是轉(zhuǎn)子和定子。轉(zhuǎn)子是線圈,就是感應(yīng)電機(jī);轉(zhuǎn)子是永磁體,就是永磁同步電機(jī)。
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