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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)
本文主要介紹了電磁爐溫度檢測電路圖大全(高頻/IGBT/傳感器溫度檢測電路詳解)。電磁爐中的溫度檢測傳感器采用的是熱敏電阻,該電阻大多由單晶或多晶半導(dǎo)體...
場效應(yīng)管和IGBT的區(qū)別,IGBT所有型號大全
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)...
2017-05-14 標簽:電阻場效應(yīng)管igbt 3.7萬 0
眾所周知,SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實,它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導(dǎo)體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關(guān)心的重點之一...
IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計圖集錦 —電路圖天天讀(189)
IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,它既有功率MOSFET易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點,又有...
一文解讀IGBT驅(qū)動關(guān)鍵技術(shù)及過流和短路保護
為解決中、大功率等級IGBT的可靠驅(qū)動問題,本文提出了驅(qū)動電路的關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計方案。同時,在變流器極端工況下研究了IGBT的相關(guān)特性,提出了極端工況IGB...
IGBT基本結(jié)構(gòu)和原理_IGBT設(shè)計關(guān)鍵因素
因為最近工作中比較多的涉及到IGBT,所以今天我們來聊一聊IGBT的設(shè)計的相關(guān)要點,當然只是從我們比較關(guān)心的幾點出發(fā),概括性地來說一說。而沒有深入到物理...
IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域_IGBT國內(nèi)外市場規(guī)模
受益于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等各種利好措施,IGBT市場將引來爆發(fā)點。
2018-07-28 標簽:IGBT 3.3萬 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低,因...
2022-06-15 標簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0
IGBT與MOSFET不同,內(nèi)部沒有寄生的反向二極管,因此在實際使用中(感性負載)需要搭配適當?shù)目旎謴?fù)二極管。
2023-03-24 標簽:MOSFETIGBT快恢復(fù)二極管 3.2萬 2
以空調(diào)壓縮機為例:國內(nèi)規(guī)定的電壓220V,頻率50Hz的電流經(jīng)整流濾波后得到310V左右的直流電,此直流電經(jīng)過逆變后,就可以得到用以控制壓縮機運轉(zhuǎn)的變頻...
一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的,因此...
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進,此...
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個 P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
在IGBT的應(yīng)用中,當外部負載發(fā)生故障,或者柵極驅(qū)動信號出現(xiàn)異常,或者某個IGBT或二極管突然失效,均可能引起IGBT短路,表現(xiàn)為橋臂內(nèi)短路、相同短路及...
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 2.8萬 0
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