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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)三相全橋整流電路的原理是基于IGBT的開關(guān)特性,將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電。...
針對應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當下關(guān)注的焦點是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 349 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子設(shè)備,廣泛用于各種電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中。IGBT本身是一種半導(dǎo)體器件,它可以在電路中起到開關(guān)的作用,控制電流的...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導(dǎo)通后,流過它的電流由多個因素共同決定,主要包括以下幾...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種電力電子器件,廣泛應(yīng)用于變頻器、電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域。IGBT的導(dǎo)通壓降(Vce(sat))是指在IGBT導(dǎo)通...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降特性。在電力電子領(lǐng)域,IGBT廣泛應(yīng)用于變頻器...
自20世紀80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
無刷直流電機(BLDC)控制器中的六個功率管在控制120度和60度換相時,扮演著至關(guān)重要的角色。這兩種控制方式主要區(qū)別在于換相時功率管的開關(guān)序列和時序,...
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-07-30 轉(zhuǎn)向綠色氫氣有望減少溫室氣體排放。來自水電、風(fēng)能和太陽能等可再生能源的電...
2024-10-02 標簽:電力系統(tǒng)IGBTDC 427 0
晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)...
開關(guān)電源尖峰干擾的產(chǎn)生原因和抑制方法
開關(guān)電源的尖峰干擾是一個復(fù)雜而重要的問題,它主要源于開關(guān)電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件的快速通斷過程。這種干擾不僅影響開關(guān)電源本身的性能,還可能對周圍的其他電子設(shè)...
2024-08-19 標簽:開關(guān)電源IGBT尖峰干擾 2463 0
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
推挽逆變電路與橋式逆變電路是兩種常見的逆變電路形式,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在一些區(qū)別。以下是對這兩種逆變電路的比較: 結(jié)構(gòu)區(qū)別 推挽逆變...
新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大...
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開...
IGBT尖峰吸收電容的選型方法是一個綜合考慮多個因素的過程,以確保電容能夠有效地吸收IGBT在開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓和電流,從而保護IGBT不受損壞。...
PIM模塊和IGBT在電力電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們在定義、結(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用等方面存在顯著差異。以下是對PIM模塊的定義、與IGBT的區(qū)別以及兩...
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