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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

NTC熱敏電阻的應(yīng)用示例

NTC熱敏電阻的應(yīng)用示例

NTC熱敏電阻是一種電阻值隨溫度上升而出現(xiàn)急劇下降的熱敏電阻器件。利用這一性質(zhì),除了溫度傳感器以外,其還可以作為溫度保護(hù)器件用來保護(hù)電路免受過熱造成的影響。

2023-08-30 標(biāo)簽:電阻器熱敏電阻NTC 3300 0

集成式車載充電系統(tǒng)綜述和控制方法

集成式車載充電系統(tǒng)綜述和控制方法

近年來,隨著能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,產(chǎn)業(yè)界和科研界都對(duì)電動(dòng)汽車的研發(fā)投入了極大關(guān)注,也帶來了全球范圍內(nèi)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,使得目前電動(dòng)汽車產(chǎn)品...

2023-08-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變換器充電系統(tǒng) 783 0

新能源汽車高壓充電系統(tǒng)有哪些

新能源汽車高壓充電系統(tǒng)有哪些

截至2023 年6月末,全國充電樁保有量為665.2萬臺(tái),同比增加 69.8%。其中,公共充電樁占比 32.3%,私人充電樁占比 67.7%。近年來車樁...

2023-08-29 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 774 0

變頻器和IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

變頻器和IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動(dòng)機(jī)的電源裝置,目前在國內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...

2023-08-28 標(biāo)簽:變頻器PWMIGBT 2928 0

光耦繼電器在新能源汽車中的地位簡析

光耦繼電器在新能源汽車中的地位簡析

光耦繼電器是一種利用光電轉(zhuǎn)換原理實(shí)現(xiàn)電氣隔離的電子元器件。

2023-08-28 標(biāo)簽:新能源汽車轉(zhuǎn)換器光敏三極管 606 0

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

聊一聊關(guān)于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串?dāng)_問題

碳化硅具有更快的切換速度(更短的切換時(shí)間),較低的損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的耐壓能力以及更好的溫度特性,相應(yīng)地帶來效率的替身,系統(tǒng)磁性元器件減小,功率...

2023-08-27 標(biāo)簽:二極管IGBTSiC 4082 0

功率半導(dǎo)體迎來SiC時(shí)代?碳化硅(SiC)的需求快速增長

功率半導(dǎo)體迎來SiC時(shí)代?碳化硅(SiC)的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中,隨著SiC材料價(jià)格下降,碳化硅(SiC)的需求快速增長,來自于車載充電、驅(qū)動(dòng)逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器IGBT 1936 0

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。

2023-08-25 標(biāo)簽:封裝IGBT單管 2176 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 952 0

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

今天給大家分享的是:IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)

2023-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 4977 0

一個(gè)斷路器難住兩電工的原因是什么

天前,兩位今年剛加入我們維修電工班的同事,竟然被一支普普通通的DZ47—63 D40型兩匹斷路器完虐,從而再次為我們廣大電工提供了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)——工作除...

2023-08-25 標(biāo)簽:開關(guān)電源電位器PWM 561 0

IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案

IGBT模塊/IPM的安全運(yùn)行設(shè)計(jì)方案

由于SCSOA 區(qū)域在集電極電流變大時(shí)有變窄的傾向,需要加以注意。IPM 內(nèi)置柵極驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路可以對(duì)超出IGBT 安全工作區(qū)的運(yùn)行模式加以保護(hù)以免...

2023-08-25 標(biāo)簽:保護(hù)電路IGBTIPM 1257 0

威兆MOS和IGBT在光伏儲(chǔ)能中的應(yīng)用

威兆MOS和IGBT在光伏儲(chǔ)能中的應(yīng)用

威兆MOS和IGBT在光伏儲(chǔ)能中的應(yīng)用

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET光伏IGBT 2411 0

功率電子器件封裝工藝有哪些

功率電子器件封裝工藝有哪些

封裝技術(shù)是一種將芯片與承載基板連接固定、引出管腳并將其塑封成整體功率器件或模塊的工藝,主要起到電氣連接、結(jié)構(gòu)支持和保護(hù)、提供散熱途徑等作用[4]。封裝作...

2023-08-24 標(biāo)簽:IGBT功率器件半導(dǎo)體器件 2421 0

可控硅調(diào)光電源有噪聲正常嗎 可控硅調(diào)光電源有噪聲原因是什么

 雖然可控硅調(diào)光電源可能存在一些噪聲,但在一般情況下,這些噪聲水平是可以接受的,并不會(huì)對(duì)其正常功能和性能產(chǎn)生顯著影響。如果噪聲超出了所期望的范圍,并且造...

2023-08-23 標(biāo)簽:電源電源設(shè)計(jì)IGBT 3254 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢?

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFET電阻器IGBT 982 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對(duì)其改良可以實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。

2023-08-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1672 0

IGBT模塊究竟如何工作?IGBT模塊的生產(chǎn)流程

IGBT模塊究竟如何工作?IGBT模塊的生產(chǎn)流程

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...

2023-08-23 標(biāo)簽:cpu電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 3381 0

電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)技術(shù)的發(fā)展趨勢

電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)技術(shù)的發(fā)展趨勢

驅(qū)動(dòng)電機(jī)主要為機(jī)械部件,原材料成本相對(duì)容易核算,在行業(yè)競爭日趨激烈的情況下,提升電機(jī)的功率重量密度和功率體積密度,使電機(jī)重量減輕是降低驅(qū)動(dòng)電機(jī)產(chǎn)品成本的...

2023-08-23 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī) 1030 0

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件...

2023-08-23 標(biāo)簽:新能源汽車控制器IGBT 1969 0

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  • IOT
    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    wifi模塊
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    加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人
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    SDK
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