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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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開關(guān)電源共模電流模型可以用下面三個(gè)回路來簡單說明。在開關(guān)管共模電壓的驅(qū)動(dòng)下,形成輸入回路、輸出回路和輸入-輸出大回路。
2023-09-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBTPCB走線 1487 0
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析
近年來,新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí),IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率...
相對(duì)于IGBT,SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時(shí)的損耗,實(shí)現(xiàn)了高頻率工作,有助于應(yīng)用的小型化。相對(duì)于同等耐壓的SJ-MOSFET,導(dǎo)通電阻較小,可減...
PWM控制型IGBT工作在斬波模式,使得IGBT本身自帶干擾源屬性,自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。
2023-09-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBTPWM控制器 1604 0
PWM控制型IGBT的EMI機(jī)理與抑制優(yōu)化設(shè)計(jì)方法探討
驅(qū)動(dòng)器類IGBT控制方式,特別是變頻器類,有無PG V/f 控制、帶PG V/f控制、無PG矢量控制、帶PG矢量控制等等不同的控制方式和術(shù)語描述
2023-09-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBT 2574 0
淺談SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)
米勒平臺(tái)產(chǎn)生的原因,是在MOSFET開通過程中,當(dāng)DS之間電壓從高到低跳變時(shí),門極電流給柵-漏之間的寄生電容Cgd充電,不給柵-源電容Cgc充電,從而V...
變頻器的工作原理和作用 變頻器的接線方法及其注意事項(xiàng)
變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備...
變頻器的參數(shù)設(shè)定 變頻器制動(dòng)方法的選擇
變頻器的參數(shù)設(shè)定在調(diào)試過程中是十分重要的。由于參數(shù)設(shè)定不當(dāng),不能滿足生產(chǎn)的需要,導(dǎo)致起動(dòng)、制動(dòng)的失敗,或工作時(shí)常跳閘,嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀功率模塊IGBT或整流...
根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場(chǎng)的價(jià)值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計(jì)到2026年將增長至110.1億美元。報(bào)告指...
摘要:本文通過比亞迪公司的專利了解電動(dòng)汽車、車載充電器及其過流保護(hù)電路,其中,車載充電器包括AC/DC變換器和DC/DC變換器,AC/DC變換器和DC/...
2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車比亞迪IGBT 1522 0
絕緣柵雙極晶體管——IGBT,認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ,是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率?影響高壓電源轉(zhuǎn)換效率的主要因素
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓時(shí),能夠?qū)⒍嗌佥斎牍β兽D(zhuǎn)化為有用的輸出功率的比例。
2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 901 0
浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備
隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
如何計(jì)算MOSFET實(shí)際應(yīng)用中的損耗
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
前幾天,一臺(tái)ACS800變頻器剛開機(jī)就出現(xiàn)了電流與頻率波動(dòng)的情況,而且波動(dòng)的幅度比較大,完全超出了因負(fù)載變化而引起的波動(dòng)幅值,第一感覺就是變頻器出了問題...
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