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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ),通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。
整流器(轉(zhuǎn)換器)是變頻器主電源中的三個(gè)主要部分之一。輸入的交流電通過(guò)轉(zhuǎn)換器部分,被整流為直流電壓。轉(zhuǎn)換器部分由二極管、可控硅整流器組成或者連接全波橋的絕...
2023-09-21 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器整流器 1071 0
從一開(kāi)始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián),到單管電流等級(jí)需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián),到如今的TPAK封裝,可以說(shuō)將單管并聯(lián)方式...
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 647 0
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
霍爾電流傳感器CHA611在新能源汽車逆變器中的應(yīng)用
意瑞半導(dǎo)體成熟量產(chǎn)產(chǎn)品車規(guī)級(jí)線性霍爾電流傳感器CHA611能有效滿足新能源汽車逆變器應(yīng)用中對(duì)1000A或更高電流進(jìn)行高精度檢測(cè)。累計(jì)出貨近400萬(wàn)片,以...
全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)
IGBT 有三個(gè)端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
IGBT動(dòng)態(tài)斬波雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)及其注意事項(xiàng)
對(duì)電力電子工程師而言,功率組件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象,而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的...
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 828 0
本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、...
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片簡(jiǎn)述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片,擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)趨勢(shì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 805 0
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