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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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對(duì)于變頻器的維修,總的來說,首先要對(duì)其工作原理有較透徹的理解,對(duì)每個(gè)電路的性能指標(biāo)、工作點(diǎn)及器件的性能、好壞都能有一個(gè)正確的判別,才能真正地修好每一臺(tái)設(shè)...
功率半導(dǎo)體的功能主要是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換,對(duì)電路進(jìn)行控制,改變電子裝置中的電壓和頻率,直流或交流等,均具有處理高電壓,大電流的能力。
2023-02-03 標(biāo)簽:大電流IGBT功率半導(dǎo)體 3677 0
單極性PWM控制方式 1.調(diào)制法: 在調(diào)制信號(hào)ur和載波信號(hào)uc的交點(diǎn)時(shí)刻控制IGBT通斷 ①ur正半周,V1保持通,V2保持?jǐn)唷?/p>
VSC目前已成為首選實(shí)施對(duì)象,原因如下:VSC具有較低的系統(tǒng)成本,因?yàn)樗鼈兊呐湔颈容^簡(jiǎn)單。VSC實(shí)現(xiàn)了電流的雙向流動(dòng),更易于反轉(zhuǎn)功率流方向。VSC可以控...
2023-04-06 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器IGBTVSC 3674 0
上篇我們聊了變頻器主回路的設(shè)計(jì)和計(jì)算,主要的還是主要參數(shù)的計(jì)算以及選型的注意事項(xiàng),今天我們繼續(xù)往下說,聊聊變頻器的輔助電源部分。
2023-04-08 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)變頻器DC-DC 3671 0
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買CPU先問主頻多少Hz?后來買手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻...所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。 可...
不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們?cè)趹?yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT...
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊(cè)上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
igbt能直接代替可控硅嗎 IGBT直接代替可控硅會(huì)有什么影響?
可控硅具有優(yōu)秀的反向阻斷能力,適用于需要在極短時(shí)間內(nèi)承受較高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。而IGBT的反向阻斷能力相對(duì)較弱,不適用于這種高反向電壓沖擊的場(chǎng)合。
IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解
GTR和MOSFET復(fù)合,結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn),具有好的特性。80年代中期問世以來,逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場(chǎng),中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
2017-06-05 標(biāo)簽:igbt 3582 0
車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對(duì)比
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
IGBT保護(hù)的問題:短路保護(hù)和過流保護(hù)
電流傳感器檢測(cè)主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣,受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲,實(shí)時(shí)性可能還有待提高;di/dt檢測(cè)主要是依據(jù)IGBT...
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
igbt驅(qū)動(dòng)電路工作原理 igbt驅(qū)動(dòng)電路和場(chǎng)效管驅(qū)動(dòng)區(qū)別
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路雙極晶體管 3571 0
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
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