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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽:芯片MOS管IGBT 3917 0

IGBT安全工作區(qū)(SOA)知多少

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失效器件送到原廠做FA分析,看到的字眼通常包含over voltage,over current,short circuit,EOS等,但是,其失效的深...

2022-09-26 標(biāo)簽:IGBTSOARBSOA 3909 0

UPS選型基本技術(shù)指導(dǎo)

摘要: 現(xiàn)在市面上常見(jiàn)的UPS類型有后備式UPS、在線互動(dòng)式UPS以及在線式UPS,眾多的品牌和廠商對(duì)其產(chǎn)品賣點(diǎn)的吹捧,使用戶在UPS產(chǎn)品選擇上失去了方...

2012-08-21 標(biāo)簽:電源濾波器IGBT 3908 0

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT過(guò)流和短路保護(hù)

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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以在相對(duì)惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過(guò)載、接線錯(cuò)誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電路中流動(dòng)較...

2023-01-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 3901 0

“T”型NPC的效率怎么會(huì)比“I”型NPC的效率高呢?

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網(wǎng)上查找三電平相關(guān)的資料,特別是兩種三電平結(jié)構(gòu)的差異,經(jīng)常能看到這樣的一個(gè)結(jié)論。那就是,當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率小于16kHz的時(shí)候,“T”型NPC的效率比“I”型N...

2023-11-09 標(biāo)簽:逆變器IGBT三電平 3892 0

IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET電壓IGBT 3892 0

RC-IGBT 技術(shù)帶來(lái)更多動(dòng)力

RC-IGBT 技術(shù)帶來(lái)更多動(dòng)力

多年來(lái),市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求一直在增加,需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過(guò)增加給定封裝尺寸的輸出功率來(lái)實(shí)現(xiàn)的,這與系...

2022-02-22 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT功率半導(dǎo)體 3876 0

何為IGBT?IGBT的結(jié)構(gòu)和原理

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...

2022-10-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 3863 0

穩(wěn)壓器簡(jiǎn)介及其工作原理

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在智能交流穩(wěn)壓器(或自動(dòng)穩(wěn)壓器(AVR))的設(shè)計(jì)中嵌入微處理器芯片技術(shù)和電力電子設(shè)備,導(dǎo)致在市電電壓出現(xiàn)顯著和連續(xù)偏差的情況下產(chǎn)生高質(zhì)量、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。

2023-07-23 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換器 3862 2

常見(jiàn)的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些?

常見(jiàn)的汽車IGBT模塊封裝類型有哪些?

IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。

2023-12-07 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 3848 0

使用數(shù)字萬(wàn)用表對(duì)IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)

使用數(shù)字萬(wàn)用表對(duì)IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)

IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直...

2023-02-22 標(biāo)簽:二極管模塊數(shù)字萬(wàn)用表 3835 0

有什么IGBT是可以替代FGH40N60SFD這款型號(hào)呢?

為什么要找替代的IGBT?因?yàn)槊鎸?duì)世界的不穩(wěn)定因素,國(guó)內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。

2023-01-14 標(biāo)簽:IGBT儲(chǔ)能電源逆變模塊 3792 0

IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算

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死區(qū)時(shí)間,也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對(duì)開(kāi)關(guān)管來(lái)說(shuō)就是Q1開(kāi)通時(shí)候,Q2通過(guò)結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)

2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 3786 0

MOSFET、IGBT、可控硅知識(shí)科普

MOSFET、IGBT、可控硅知識(shí)科普

功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。

2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 3728 0

新能源汽車電機(jī)控制器功率損耗的計(jì)算

新能源汽車電機(jī)控制器功率損耗的計(jì)算

理論計(jì)算模型:主要介紹介紹電機(jī)控制器各器件功率損耗的計(jì)算過(guò)程,可用于Matlab仿真建模,從而得知電機(jī)控制器的理論效率值和損耗值。

2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 3721 1

國(guó)內(nèi)igbt技術(shù)相比國(guó)外如何?igbt安全注意事項(xiàng)以及柵極干擾降低的實(shí)現(xiàn)

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技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì):無(wú)焊接、 無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝...

2017-05-16 標(biāo)簽:新能源igbt晶體管 3719 0

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系

IGBT中的MOS器件電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系

分析完閾值電壓的機(jī)制后,下面我們重點(diǎn)分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關(guān)系。

2023-11-29 標(biāo)簽:IGBTMOS閾值電壓 3719 0

光伏逆變器的基本原理

光伏逆變器的基本原理

逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸

2023-06-01 標(biāo)簽:MOSFET鎖相環(huán)逆變器 3711 0

我認(rèn)為的電動(dòng)車三電系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)

選電動(dòng)車,我主要看三電:電池,電機(jī),電控。因?yàn)檫@三樣是構(gòu)成車的主要成本,也是關(guān)鍵。

2023-01-16 標(biāo)簽:鋰電池電動(dòng)車IGBT 3708 0

T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)

T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)

半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...

2023-06-09 標(biāo)簽:熱電偶IGBTSTD 3702 0

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    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě),中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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