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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT芯片的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和性能優(yōu)勢(shì)
當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開(kāi)發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...
摘要: 現(xiàn)在市面上常見(jiàn)的UPS類型有后備式UPS、在線互動(dòng)式UPS以及在線式UPS,眾多的品牌和廠商對(duì)其產(chǎn)品賣點(diǎn)的吹捧,使用戶在UPS產(chǎn)品選擇上失去了方...
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的IGBT過(guò)流和短路保護(hù)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器可以在相對(duì)惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,其中可能發(fā)生高溫、交流線路瞬變、機(jī)械過(guò)載、接線錯(cuò)誤和其他突發(fā)事件。其中一些事件可能導(dǎo)致電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源電路中流動(dòng)較...
2023-01-08 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電機(jī)IGBT 3901 0
“T”型NPC的效率怎么會(huì)比“I”型NPC的效率高呢?
網(wǎng)上查找三電平相關(guān)的資料,特別是兩種三電平結(jié)構(gòu)的差異,經(jīng)常能看到這樣的一個(gè)結(jié)論。那就是,當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率小于16kHz的時(shí)候,“T”型NPC的效率比“I”型N...
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
RC-IGBT 技術(shù)帶來(lái)更多動(dòng)力
多年來(lái),市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體的需求一直在增加,需要功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過(guò)增加給定封裝尺寸的輸出功率來(lái)實(shí)現(xiàn)的,這與系...
2022-02-22 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT功率半導(dǎo)體 3876 0
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇...
2022-10-09 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器IGBT 3863 0
在智能交流穩(wěn)壓器(或自動(dòng)穩(wěn)壓器(AVR))的設(shè)計(jì)中嵌入微處理器芯片技術(shù)和電力電子設(shè)備,導(dǎo)致在市電電壓出現(xiàn)顯著和連續(xù)偏差的情況下產(chǎn)生高質(zhì)量、穩(wěn)定的電力供應(yīng)。
2023-07-23 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電路轉(zhuǎn)換器 3862 2
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn),IGBT模塊封裝測(cè)試的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車IGBT 3848 0
使用數(shù)字萬(wàn)用表對(duì)IGBT模塊進(jìn)行檢驗(yàn)
IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直...
2023-02-22 標(biāo)簽:二極管模塊數(shù)字萬(wàn)用表 3835 0
有什么IGBT是可以替代FGH40N60SFD這款型號(hào)呢?
為什么要找替代的IGBT?因?yàn)槊鎸?duì)世界的不穩(wěn)定因素,國(guó)內(nèi)如果有好的電子元器件替代的話,為什么不選擇呢?這樣才能更好保障自己的產(chǎn)品穩(wěn)定性。
IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算
死區(qū)時(shí)間,也**稱為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對(duì)開(kāi)關(guān)管來(lái)說(shuō)就是Q1開(kāi)通時(shí)候,Q2通過(guò)結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)
2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 3786 0
功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。
2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 3728 0
國(guó)內(nèi)igbt技術(shù)相比國(guó)外如何?igbt安全注意事項(xiàng)以及柵極干擾降低的實(shí)現(xiàn)
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì):無(wú)焊接、 無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝...
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸
我認(rèn)為的電動(dòng)車三電系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)
選電動(dòng)車,我主要看三電:電池,電機(jī),電控。因?yàn)檫@三樣是構(gòu)成車的主要成本,也是關(guān)鍵。
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
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