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igbt

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+關(guān)注1237人關(guān)注

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)

在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。

2023-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管IGBT 1688 0

變頻器IGBT頻繁損壞的原因及解決方案

變頻器IGBT頻繁損壞的原因及解決方案

在工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中,變頻器是一種常見(jiàn)的電力設(shè)備,其穩(wěn)定性和可靠性對(duì)生產(chǎn)過(guò)程至關(guān)重要。然而,在實(shí)際使用過(guò)程中,我們可能會(huì)遇到變頻器的IGBT頻繁損壞的問(wèn)題。...

2023-11-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源變頻器電力設(shè)備 2240 0

典型雙變換UPS的電壓變換原理簡(jiǎn)析

典型雙變換UPS的電壓變換原理簡(jiǎn)析

UPS是如何把市電的380V交流電變換成逆變器輸出的380V交流電,并在這一變換過(guò)程中保持輸出電壓基本不變,是很多數(shù)據(jù)中心UPS用戶經(jīng)常疑惑的問(wèn)題。

2023-11-04 標(biāo)簽:UPS逆變器IGBT 3980 0

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺(tái)的分析

米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開(kāi)始下降,但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 9129 0

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用

MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。

2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源整流器 1074 0

為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象?

這是某產(chǎn)品輸出特性曲線,可以看到IGBT工作區(qū)分為三個(gè)部分。

2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBTMOS 4566 0

常見(jiàn)的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-11-02 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 2066 0

如何減小變頻器運(yùn)行對(duì)電機(jī)繞組絕緣的影響?

如何減小變頻器運(yùn)行對(duì)電機(jī)繞組絕緣的影響?

在接下來(lái)的推文中將給大家介紹由變頻器,連接電纜及電機(jī)構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中如何減小變頻器運(yùn)行對(duì)電機(jī)繞組絕緣的影響,提高系統(tǒng)運(yùn)行可靠性的相關(guān)措施。

2023-11-01 標(biāo)簽:變頻器逆變器IGBT 1721 0

新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

新能源汽車充電樁交/直流充電原理分析

直流充電樁基本構(gòu)成包括:功率單元、控制單元、計(jì)量單元、充電接口、供電接口及人機(jī)交互界面等。功率單元是指直流充電模塊,控制單元是指充電樁控制器。

2023-11-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTMOS 2812 0

什么是IGBT?IGBT模塊封裝的痛點(diǎn)與難點(diǎn)

IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件,已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞,制造商在IGBT模塊焊接裝配過(guò)程...

2023-10-31 標(biāo)簽:三極管封裝IGBT 3160 0

功率半導(dǎo)體器件知識(shí)匯總

功率半導(dǎo)體器件知識(shí)匯總

電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...

2023-10-28 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 865 0

碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)

本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來(lái)的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì),以及如何通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來(lái)滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國(guó)際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...

2023-10-28 標(biāo)簽:IGBT功率器件工業(yè)電源 1753 0

龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用

龍騰半導(dǎo)體MOS和IGBT在充電樁上的應(yīng)用

充電樁是指為電動(dòng)汽車提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車場(chǎng)等)和居民小...

2023-10-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 1589 0

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來(lái)越...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT晶體管馬達(dá) 448 0

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...

2023-10-27 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率模塊 5674 0

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)介

MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...

2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1060 0

混合器件的原理及應(yīng)用

混合器件的原理及應(yīng)用

今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來(lái)聊一下復(fù)合器件(Si IGBT + SiC MOSFET),我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么,文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 1218 0

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度

雙模塊如何實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度

氣候變化、人口結(jié)構(gòu)變化和城市化等大趨勢(shì)正在改變世界。這些推動(dòng)了能源效率、綠色能源和電氣化等行業(yè)趨勢(shì),這些關(guān)鍵主題提出了新的要求和挑戰(zhàn)。工程師的目標(biāo)是在下...

2023-10-24 標(biāo)簽:模塊逆變器IGBT 964 0

淺談電動(dòng)汽車中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析

淺談電動(dòng)汽車中逆變器技術(shù)和市場(chǎng)分析

逆變器在電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車中發(fā)揮著重要作用。其主要功能是將車載電池組提供的直流電轉(zhuǎn)換為三相交流電,用于汽車的電機(jī)。此外,在再生制動(dòng)期間,逆變器將交流電轉(zhuǎn)...

2023-10-24 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)逆變器IGBT 2772 0

合泰半橋電磁爐應(yīng)用方案

合泰半橋電磁爐應(yīng)用方案

市面常見(jiàn)電磁爐技術(shù)分為單管電磁爐技術(shù)與半橋電磁爐技術(shù),單管電磁爐主要操作在2千瓦以下,其優(yōu)點(diǎn)為電路架構(gòu)簡(jiǎn)單與成本低,缺點(diǎn)則是通常的單管電磁爐在設(shè)定功率較...

2023-10-20 標(biāo)簽:mcuadcIGBT 2976 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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