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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
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深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng) 762 0
IGBT認(rèn)識(shí):電力系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)死區(qū)的原理、意義和計(jì)算
死區(qū)時(shí)間,也**稱(chēng)為互鎖延時(shí)時(shí)間(互鎖:即互相掣肘,對(duì)開(kāi)關(guān)管來(lái)說(shuō)就是Q1開(kāi)通時(shí)候,Q2通過(guò)結(jié)合Q1控制邏輯必須關(guān)閉)
2023-11-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT脈沖變壓器 3778 0
什么是“三電系統(tǒng)”和“電驅(qū)系統(tǒng)”? IGBT模塊結(jié)構(gòu)和汽車(chē)IGBT模塊應(yīng)用
在駕駛新能源汽車(chē)時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻涣麟姡ˋC)(這個(gè)過(guò)程即逆變),讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作,電機(jī)將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能,再通過(guò)傳動(dòng)系統(tǒng)...
2023-11-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT配電箱 1836 0
汽車(chē)IGBT模塊功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)
服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài),其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi),會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)次的溫度循...
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
詳解IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/特性/工作原理
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種三端半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開(kāi)關(guān)。 IGBT 主要用于放大器,用于通過(guò)脈沖寬度調(diào)制 (...
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類(lèi)型,分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)。
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 8337 0
變頻技術(shù)的發(fā)展過(guò)程簡(jiǎn)述
矢量控制變頻調(diào)速的做法是:將異步電動(dòng)機(jī)在三相坐標(biāo)系下的定子交流電流Ia、Ib、Ic、通過(guò)三相—二相變換,等效成兩相靜止坐標(biāo)系下的交流電流Ia1Ib1,再...
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